[发明专利]负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统有效
申请号: | 201610153803.X | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105789091B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 周仁;范川;吕光泉;张孝勇;方仕彩;廉杰;门恩国 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 屈芳 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 及其 使用 之多 处理 系统 | ||
1.一种负载腔室,其特征在于,包括一腔室本体,该腔室本体包括:
至少一对腔室,设置于该腔室本体的一层结构中,用于承载一或多个晶圆基板;至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,使该对腔室相互连通,以提供该对腔室之气体回填或抽取;及
用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架,该等晶圆支架定位于该对腔室中,并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合,其中所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置,每一个晶圆支架具有复数个定位结构,每一个定位结构具有一顶端及一底端,经由该等定位结构的顶端或底端,以及经由该等定位结构抵触所述腔室的内壁,藉此可选择将该等晶圆支架固定和定位于该对腔室中的不同位置,每一晶圆支架还具有复数个支撑座用于支撑晶圆基板,且该等支撑座的每一者的高度小于该等定位结构的每一者的高度。
2.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中该腔室本体具有多层结构,而该等多层结构之一者包含该对腔室。
3.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中该腔室本体包含一框架,该框架具有复数个内壁,该等内壁定义该对腔室。
4.如权利要求3所述的负载腔室,其特征在于,其中该腔室本体更包含复数个盖板,该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架,并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。
5.如权利要求3所述的负载腔室,其特征在于,其中该框架具有一中间部,该中间部系根据所述至少一内部管线的排列所定义,该中间部系位于该对腔室之间。
6.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中该等支撑座的每一个配置有一限位块及一支撑块,其中该限位块的一高度大于该支撑块的一高度,该等复数个支撑座的限位块围绕该等复数个支撑块,该等复数个限位块限制放至在该等支撑块上的所述晶圆基板的偏移量。
7.如权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中所述该等沟槽之间定义了该晶圆支架的一传递区,该传递区用以提供所述机械手前端手指通过。
8.权利要求1所述的负载腔室,其特征在于,其中所述晶圆支架提供有一侧壁,该侧壁与机械手前端手指的一边缘之间存在一校正距离,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。
9.一种多腔室处理系统,包括:
一传递腔室,提供有一机械手前端手指;及
一负载腔室,与该传递腔室耦合,并与该机械手前端手指配合,
其中,该负载腔室包括一腔室本体,该腔室本体包括:
至少一对腔室,设置于该腔室本体的一层结构中,用于承载一或多个晶圆基板;
至少一内部管线,设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室,以提供该对腔室之气体回填或抽取;及
用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架,该等晶圆支架定位于该对腔室中,并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合,其中所述晶圆支架具有复数沟槽,用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置,每一个晶圆支架具有复数个定位结构,每一个定位结构具有一顶端及一底端,经由该等定位结构的顶端或底端,以及经由该等定位结构抵触所述腔室的内壁,藉此可选择将该等晶圆支架固定和定位于该对腔室中的不同位置,每一晶圆支架还具有复数个支撑座用于支撑晶圆基板,且该等支撑座的每一者的高度小于该等定位结构的每一者的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造