[发明专利]负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统

说明书

本发明所揭露之内容为一种负载腔室，包括一腔室本体，该腔室本体包括：至少一对腔室，用于承载一或多个晶圆基板；及至少一内部管线，设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室，以提供该对腔室之气体回填或抽取。所述负载腔室具有多层结构，而该等多层结构之任一者包含该对腔室。所述腔室本体包含一框架，该框架具有复数个内壁，该等内壁定义该对腔室。所述腔视本体更包含复数个盖板，该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架，并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。

技术领域

本发明关于一种负载腔室，尤其可为一种对称式之多层负载腔室，用于密封一或多个晶圆。

背景技术

在半导体制程中，基板产能一直是具有挑战性的。随着技术的进步，半导体基板必须以连续且有效率的方式进行处理。多腔室的制程设备系用来满足这样的需求，其可分批处理多个基板，而不必为了某个基板的处理来改变整个处理过程的主要真空环境。这种多腔室的设备取代了仅处理单个基板并随后再将此基板传递至另一腔室期间内使此基板暴露于空气的作法。藉由将多个处理腔室连接到一共同的传递腔室(transfer chamber)，使得基板在一个处理腔室完成处理后，可在相同的真空环境下，将此基板传递至下一个处理腔室进行处理。

此外，与多个处理腔室连接的多个传递腔室的每一者可与一负载腔室(又称，负载锁定腔室，load lock chamber)连接，以提高基板制成的效率。负载腔室主要系用于将一晶圆基板自一常压工作环境传递至一用于半导体制程之真空环境。

由于负载腔室可视为整个晶圆处理程序的输入端，而晶圆的卸除速率系影响半导体制程的因素之一。因此，提升负载腔室的运作效率为业界所存在之需求。

发明内容

本发明揭露内容为一种更具有效率的负载腔室。

所述负载腔室可包括一腔室本体。该腔室本体包括：至少一对腔室，设置于该腔室本体的一层结构中，用于承载一或多个晶圆基板；至少一内部管线，设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室，以提供该对腔室之气体回填或抽取；用于承载一晶圆基板之复数个晶圆支架，该等晶圆支架定位于该对腔室中，并可与所述负载腔室之外的一机械手前端手指相互配合，其中所述晶圆支架具有复数沟槽，用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。

在一实施例中，该腔室本体具有多层结构，而该等多层结构之一者包含该对腔室。

在一实施例中，该腔室本体包含一框架，该框架具有复数个内壁，该等内壁定义该对腔室。

在一实施例中，该腔视本体更包含复数个盖板，该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架，并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。

在一实施例中，该框架具有一中间部，该中间部系根据所述至少一内部管线的排列所定义，该中间部系位于该对腔室之间。

在一实施例中，每一个晶圆支架具有复数个定位结构，每一个定位结构具有一顶端及一底端，经由该等定位结构的顶端或底端，以及经由该等定位结构抵触所述腔室的内壁，将该等晶圆支架固定和定位于该对腔室中。

在一实施例中，所述晶圆支架具有复数个限位块，用于限制该晶圆基板在晶圆支架中的偏移量。

在一实施例中，所述晶圆支架具有复数沟槽，用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。

在一实施例中，所述晶圆支架提供有一侧壁，该侧壁与机械手前端手指的一边缘之间存在一校正距离，用于校正该机械手前端手指与该晶圆支架的相对位置。