[发明专利]显示面板的信号线制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及平面显示领域，尤其涉及一种显示面板的信号线 制作方法。

【背景技术】

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin-FilmTransistorLiquid CrystalDisplay,TFT-LCD)的制造工艺中，线距是一个很重要的 参数，它直接影响了很多TFT-LCD的特性，比如沟道长度的最 小值直接影响薄膜晶体管驱动能力；扫描线与信号线的间距的最 小值会影响扇出区域的走线设计，进而影响薄膜晶体管液晶显示 器的边框宽度、信号延迟等液晶面板的特性。

随着液晶面板向精细化、高品质方向发展，也要求线距越做 越小。通常情况下薄膜晶体管液晶显示器的制程工艺中线距的最 小值都是由曝光机的设备能力决定的。请参考图1所示，在制作 金属线的过程中时，如果所要求的金属线的线距超过曝光机设备 能力时，金属层9上的光阻90将无法完全依照掩膜上的图案完 全曝开，尔后显影便会残留一部分光阻M，而导致信号线制作失 败。

如果要对上述问题进行改进，现有技术通常是进行设备改 良，另一方面也可以通过特殊设计进行补偿。然而，前者需要很 大的改良费用，后者则会增加掩膜的制造成本且线距减小幅度有 限。

故，有必要提供一种显示面板的信号线制作方法，以解决现 有技术所存在的问题。

【发明内容】

有鉴于现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种显 示面板的信号线制作方法，其可在不改造曝光设备的前提下，最 大限度的利用曝光设备的能力。

为达成本发明的前述目的，本发明提供一种完成小线距的显 示面板的信号线制作方法，显示面板的信号线制作方法包含下列 步骤：

步骤1：提供一金属膜层；

步骤2：涂布一光阻层于所述金属膜层上；

步骤3：对所述光阻层进行曝光及显影处理；

步骤4：对所述光阻层进行灰化处理，以去除一定厚度的所 述光阻层，进而一并去除对应曝光区域的残留光阻，以形成图案 化的光阻层；以及

步骤5：对所述金属膜层进行蚀刻处理；以及

步骤6：去除所述图案化的光阻层。

在本发明的一实施例中，步骤3使用一曝光机结合一掩膜对 所述光阻层进行局部曝光，其中所述掩膜的细缝图案超过所述曝 光机的曝光能力。

在本发明的一实施例中，步骤3进行显影处理时，使用显影 液将所述光阻层中受到曝光的光阻部分溶解去除；其中显影处理 后的光阻层对应曝光区域的位置仍有残留光阻

在本发明的一实施例中，所述金属膜层是单一的金属层或是 复合金属层。

在本发明的一实施例中，所述金属膜层材质选自铜、铝、铬、 钼、钽或其合金。

在本发明的一实施例中，所述灰化处理是利用局部加热的方 式。

在本发明的一实施例中，所述灰化处理是利用激光照射的方 式。

在本发明的一实施例中，所述灰化处理是利用氧电浆灰化工 艺的方式。

本发明主要是在蚀刻工艺之前对不需要的残留光阻额外进 行一灰化处理，以除去原本图案化光阻层中不需要的残留光阻， 进而在不改良曝光设备的前提下，制造出线距更小的信号线。

【附图说明】

图1是示意在超过现有的曝光机设备能力下，进行信号线制 作工艺而导致光阻残留的示意图。

图2是本发明一较佳实施例的显示面板的信号线制作方法 的步骤流程图。

图3A～3C是进行本发明一较佳实施例的显示面板的信号线 制作方法的曝光、灰化处理及蚀刻的流程示意图。

【具体实施方式】

为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本 发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本发明 所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、 「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因 此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本 发明。

本发明的信号线制作方法适用于一般显示面板(例如薄膜晶 体管液晶显示器)的信号线制作工艺，所述信号线可以是例如薄 膜晶体管液晶显示器的扫描线、数据线或其他以金属制成的走 线。所述信号线可以是单一的金属层或是复合金属层，材质可选 自铜、铝、铬、钼、钽等。