[发明专利]一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路有效
申请号: | 201610154495.2 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN107204326B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 安建宏 | 申请(专利权)人: | 电信科学技术研究院 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘醒晗 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 集成电路 静电 放电 esd 保护 电路 | ||
1.一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路,其特征在于,包括:主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路;
所述主ESD保护电路中至少包括高压N沟道金属氧化物半导体场效应MOS管,所述高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地,所述高压N沟道MOS管的漏极连接集成电路的引脚焊盘PAD;
所述从ESD保护电路中至少包括低压N沟道MOS晶体管,所述低压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地,所述低压N沟道MOS管的漏极通过所述电阻连接到所述高压N沟道MOS管的漏极,并连接到所述集成电路内部被保护的电路;
其中,所述主ESD保护电路中还包括高压P沟道MOS管,所述高压P沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到电源正极,所述高压P沟道MOS管的漏极连接到所述高压N沟道MOS管的漏极;
所述从ESD保护电路中还包括低压P沟道MOS管,所述低压P沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到电源正极,所述低压P沟道MOS管的漏极连接到所述低压N沟道MOS管的漏极。
2.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述高压N沟道MOS管的工作电压高于或等于5V。
3.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述低压N沟道MOS管的工作电压低于或等于1.8V。
4.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述高压N沟道MOS管为高压N沟道增强型MOS管;所述低压N沟道MOS管为低压N沟道增强型MOS管。
5.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述电阻为阻值量级在百K欧姆范围内的限流电阻。
6.如权利要求5所述的ESD保护电路,其特征在于,所述限流电阻为多晶硅电阻或扩散电阻。
7.如权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述高压N沟道MOS管的栅极与地之间还串联有电阻。
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