[发明专利]一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路

权利要求书

1.一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路，其特征在于，包括：主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路；

所述主ESD保护电路中至少包括高压N沟道金属氧化物半导体场效应MOS管，所述高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，所述高压N沟道MOS管的漏极连接集成电路的引脚焊盘PAD；

所述从ESD保护电路中至少包括低压N沟道MOS晶体管，所述低压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，所述低压N沟道MOS管的漏极通过所述电阻连接到所述高压N沟道MOS管的漏极，并连接到所述集成电路内部被保护的电路；

其中，所述主ESD保护电路中还包括高压P沟道MOS管，所述高压P沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到电源正极，所述高压P沟道MOS管的漏极连接到所述高压N沟道MOS管的漏极；

所述从ESD保护电路中还包括低压P沟道MOS管，所述低压P沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到电源正极，所述低压P沟道MOS管的漏极连接到所述低压N沟道MOS管的漏极。

2.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述高压N沟道MOS管的工作电压高于或等于5V。

3.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述低压N沟道MOS管的工作电压低于或等于1.8V。

4.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述高压N沟道MOS管为高压N沟道增强型MOS管；所述低压N沟道MOS管为低压N沟道增强型MOS管。

5.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述电阻为阻值量级在百K欧姆范围内的限流电阻。

6.如权利要求5所述的ESD保护电路，其特征在于，所述限流电阻为多晶硅电阻或扩散电阻。

7.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述高压N沟道MOS管的栅极与地之间还串联有电阻。