[发明专利]一种MOSFET线性直流稳压的输出电路在审
申请号: | 201610156320.5 | 申请日: | 2016-03-21 |
公开(公告)号: | CN105634278A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 李红全;司红磊;李青海;陈强 | 申请(专利权)人: | 江苏峰谷源储能技术研究院有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 徐萍 |
地址: | 212000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mosfet 线性 直流 稳压 输出 电路 | ||
1.一种MOSFET线性直流稳压的输出电路,其特征在于,包括第一电容、第二电容、电阻、稳压管以及MOSFET管,所述的第一电容连接在电路的输入端和输出端之间,所述的第二电容连接在第一电容与电路的输出端之间,所述的电阻与稳压管串联连接后再与第一电容并联连接,所述的MOSFET管包括栅极、源极和漏极,所述的MOSFET管的栅极与电路的输出端相连接,所述的MOSFET管的源极分别与电阻和稳压管相连接,所述的MOSFET管的漏极与电路的输入端相连接。
2.根据权利要求1所述的MOSFET线性直流稳压的输出电路,其特征在于,所述的第一电容和第二电容均采用电解电容。
3.根据权利要求1所述的MOSFET线性直流稳压的输出电路,其特征在于,所述的MOSFET管采用N型MOSFET管,其型号为IRF640,所述的MOSFET管的栅极电压始终高于源极的电压。
4.根据权利要求1所述的MOSFET线性直流稳压的输出电路,其特征在于,所述的电路的输入端的电压范围宽为15-100VDC。
5.根据权利要求4所述的MOSFET线性直流稳压的输出电路,其特征在于,所述的电路的输入端的电压为48VDC。
6.根据权利要求5所述的MOSFET线性直流稳压的输出电路,其特征在于,所述的电路的输出端的电压为12VDC。
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