[发明专利]一种MOSFET线性直流稳压的输出电路在审
申请号: | 201610156320.5 | 申请日: | 2016-03-21 |
公开(公告)号: | CN105634278A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 李红全;司红磊;李青海;陈强 | 申请(专利权)人: | 江苏峰谷源储能技术研究院有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 徐萍 |
地址: | 212000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mosfet 线性 直流 稳压 输出 电路 | ||
技术领域
本发明属于电路的技术领域,具体涉及一种MOSFET线性直流稳压的输出电路。
背景技术
目前,电路中所使用的传统的三极管电子滤波器电路和LM7812稳压芯片,输入电压比较低,当输入电压高于30V,此电路就不能再使用。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种MOSFET线性直流稳压的输出电路,在保持原有的功能下,通过各元器件,实现了宽电压输入,解决了当输入电压高于30V,此电路就不能再使用的问题,其具有工作电压范围宽、缩小PCB设计时所占用的面积以及器件更好选型等优点。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供了一种MOSFET线性直流稳压的输出电路,包括第一电容、第二电容、电阻、稳压管以及MOSFET管,所述的第一电容连接在电路的输入端和输出端之间,所述的第二电容连接在第一电容与电路的输出端之间,所述的电阻与稳压管串联连接后再与第一电容并联连接,所述的MOSFET管包括栅极、源极和漏极,所述的MOSFET管的栅极与电路的输出端相连接,所述的MOSFET管的源极分别与电阻和稳压管相连接,所述的MOSFET管的漏极与电路的输入端相连接。
在本发明一个较佳实施例中,所述的第一电容和第二电容均采用电解电容。
在本发明一个较佳实施例中,所述的MOSFET管采用N型MOSFET管,其型号为IRF640,所述的MOSFET管的栅极电压始终高于源极的电压。
在本发明一个较佳实施例中,所述的电路的输入端的电压范围宽为15-100VDC。
在本发明一个较佳实施例中,所述的电路的输入端的电压为48VDC。
在本发明一个较佳实施例中,所述的电路的输出端的电压为12VDC。
本发明的有益效果是:本发明的MOSFET线性直流稳压的输出电路,在保持原有的功能下,通过各元器件,实现了宽电压输入,解决了当输入电压高于30V,此电路就不能再使用的问题,其具有工作电压范围宽、缩小PCB设计时所占用的面积以及器件更好选型等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1是本发明MOSFET线性直流稳压的输出电路的一较佳实施例的电路图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明实施例包括:
一种MOSFET线性直流稳压的输出电路,包括第一电容C1、第二电容C2、电阻R1、稳压管ZD1以及MOSFET管Q1,所述的第一电容C1连接在电路的输入端和输出端之间,所述的第二电容C2连接在第一电容C1与电路的输出端之间,所述的电阻R1与稳压管ZD1串联连接后再与第一电容C1并联连接,所述的MOSFET管Q1包括栅极G、源极S和漏极D,所述的MOSFET管Q1的栅极G与电路的输出端相连接,所述的MOSFET管Q1的源极S分别与电阻R1和稳压管ZD1相连接,所述的MOSFET管Q1的漏极D与电路的输入端相连接。
上述中,所述的电路的输入端的电压范围宽为15-100VDC。本实施例中,所述的电路的输入端的电压为48VDC;所述的电路的输出端的电压为12VDC。
其中,所述的第一电容C1和第二电容C2均采用电解电容;所述的MOSFET管Q1采用N型MOSFET管,其型号为IRF640,所述的MOSFET管Q1的栅极电压始终高于源极的电压。
具体地,电阻R1为6.8K电阻、稳压管ZD1为15V稳压管、MOSFET管Q1为IRF640、第一电容C1为22Uf/100V电解电容、第一电容C2为47Uf/25V电解电容。
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