[发明专利]一种掩模板的存储方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种掩模板 的存储方法。

背景技术

在集成电路制造技术中，在使用光掩模进行硅晶片光刻的过程中，当掩 模板被光刻机激光照射一定时间以后，尤其是193nm或者193nm以下波长光 源的照射下，在掩模板上会逐渐生成所谓的结晶缺陷(Haze)。结晶缺陷存 在于掩模板上会引发光刻缺陷，进而导致产品合格率降低。

因此，每当产生一定数量的结晶缺陷，就需要对掩模板进行清洗，这一 过程成本高、时间周期长。此外，由于材料损耗原因，一般掩模板的清洗次 数在3次左右就需要重新制板，这也导致了巨大的额外费用。

经过业界技术人员对结晶缺陷的不断分析发现，结晶缺陷主要有硫化氨 结晶(AmmoniumSulfateHaze)和有机物结晶(OrganicHaze)两种类型。 其中针对硫化氨结晶，通过使用低挥发性的生产材料和在存储环境中充入干 燥纯化空气相结合的方式，可以有效地延缓硫化氨结晶缺陷的产生速率，目 前已经被业界广泛使用。而有机物结晶却不能够被上述方法有效的降低，其 中主要的原因就是有机物结晶产生的速率太快。

在现有的掩模板存储方式中，只是简单地把掩模板放到专用的存储环境 中，这些环境要么和大气环境相同，要么就是被干燥纯化空气或氮气营造了 一个相对纯净稳定的环境。根据实际检测，在曝光结束后的一个小时左右， 有机物结晶就已经大批量的生成了，而在这段时间内，存储环境中充入的干 燥纯化空气还不能够把有机物气体排出去。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种掩模板的 存储方法，通过对掩模板进行紫外光照射，可将掩模板上的有机物结晶激发 分解为气体状态，并通过气体置换排净。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种掩模板的存储方法，包括以下步骤：

步骤S01：将掩模板放入一存储环境中；

步骤S02：对掩模板表面进行紫外光照射；

步骤S03：对存储环境进行气体置换。

优选地，通过在所述存储环境设置紫外光光源产生紫外光，对掩模板表 面进行紫外光照射。

优选地，通过在所述存储环境设置紫外光光源产生点状紫外光，对掩模 板表面进行紫外光扫描照射。

优选地，通过在所述存储环境设置紫外光光源产生发散状紫外光，对掩 模板整体表面同时进行紫外光照射。

优选地，所述紫外光的波长包含所有的紫外线波长。

优选地，所述紫外光的波长为193纳米。

优选地，对掩模板表面进行紫外光持续照射或者周期性照射。

优选地，所述掩模板包括基板，所述基板具有图形的一侧表面设有保护 膜，所述保护膜带有气孔，紫外光照射方向为从掩模板的保护膜一侧向基板 方向照射。

优选地，通过向存储环境中持续通入置换气体，对存储环境进行气体置 换。

优选地，所述置换气体包括干燥纯化空气或者氮气。

从上述技术方案可以看出，本发明通过对放置在存储环境中的掩模板所 有表面区域进行紫外光持续照射或者周期性照射，可将掩模板上的有机物结 晶激发分解为气体状态，并被存储环境中充入的置换气体排净，从而可有效 地降低掩模板的有机物结晶缺陷，保障了掩模板的存放和使用安全，并延长 了掩模板的使用寿命。

附图说明

图1是本发明一种掩模板的存储方法流程图；

图2是本发明一较佳实施例中根据图1的方法对一掩模板进行紫外光照 射时的结构状态示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本发明的实施方式 时，为了清楚地表示本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一 般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为 对本发明的限定来加以理解。