[发明专利]从裸芯附接膜带分离半导体裸芯的系统和方法有效
申请号: | 201610164091.1 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN107221510B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 邱进添;H.塔基亚 | 申请(专利权)人: | 晟碟信息科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 上海市闵行区江川*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裸芯附接膜带 分离 半导体 系统 方法 | ||
1.一种包括半导体裸芯的半导体器件,该半导体器件通过包括以下步骤的方法形成:
(a)将该半导体裸芯固定在卡盘上,使该半导体裸芯安装至带,该带包括基层和裸芯附接膜(DAF),该基层包括多个通孔过孔,该裸芯附接膜附着到至该基层的第一表面;
(b)向与该基层的第一表面相反的该基层的第二表面上吹气,以通过该通孔过孔向该裸芯附接膜施加压力,该压力使该裸芯附接膜从该基层偏离,其中使用第一压力向该裸芯附接膜在该半导体裸芯的边缘部分下方的部分上吹气,所述第一压力大于0,使用第二压力向该裸芯附接膜在该半导体裸芯的中心部分下方的部分上吹气,该第二压力大于该第一压力;以及
(c)从该基层移除该半导体裸芯和该裸芯附接膜,当从该基层移除该半导体裸芯和该裸芯附接膜时,使该裸芯附接膜从该基层偏离的该压力减小该半导体裸芯中的应力。
2.如权利要求1所述的半导体器件,还包括在向该基层的第二表面上吹气的步骤(b)之前拉伸该带的步骤,以增加该通孔过孔的尺寸。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其中向该基层的第二表面上吹气的步骤(b)包括向该半导体裸芯下方的该基层的该第二表面上吹气,且不在与该半导体裸芯邻近的其它半导体裸芯上吹气的步骤。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中将该半导体裸芯固定在卡盘上的步骤(a)包括使用夹板将围绕该半导体裸芯的区域夹到该卡盘的步骤。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其中将该半导体裸芯固定在卡盘上的步骤(a)包括通过该卡盘对围绕该半导体裸芯的基层施加负压的步骤。
6.一种形成包括半导体裸芯的半导体器件的方法,包括:
(a)将该半导体裸芯固定到带,该带包括基层和固定到该基层的第一表面的裸芯附接膜(DAF),该裸芯附接膜将该半导体裸芯固定在该带上;
(b)将该带和该裸芯固定到台上,使与该基层的第一表面相反的该基层的第二表面靠在该台上;
(c)通过该基层向该裸芯附接膜上吹气,以向该裸芯附接膜施加压力,该压力使该裸芯附接膜从该基层偏离,其中使用第一压力向该裸芯附接膜在该半导体裸芯的边缘部分下方的部分上吹气,所述第一压力大于0,使用第二压力向该裸芯附接膜在该半导体裸芯的中心部分下方的部分上吹气,该第二压力大于该第一压力;以及
(d)从该基层移除该半导体裸芯和该裸芯附接膜,当从该基层移除该半导体裸芯和该裸芯附接膜时,使该裸芯附接膜从该基层偏离的该压力减小该半导体裸芯中的应力。
7.如权利要求6所述的方法,其中向该裸芯附接膜上吹气的步骤(c)包括通过形成在该基层中的过孔吹气的步骤。
8.如权利要求7所述的方法,还包括在向该基层的该第二表面上吹气的步骤(c)之前拉伸该带的步骤,以增加该过孔的尺寸。
9.如权利要求6所述的方法,其中将该带和该裸芯固定到台上的步骤(b)包括使用夹板将围绕该半导体裸芯的区域夹到该台的步骤。
10.如权利要求6所述的方法,其中将该带和该裸芯固定到该台上的步骤(b)包括通过该台对围绕该半导体裸芯的该基层施加负压的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造