[发明专利]从裸芯附接膜带分离半导体裸芯的系统和方法有效
申请号: | 201610164091.1 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN107221510B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 邱进添;H.塔基亚 | 申请(专利权)人: | 晟碟信息科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 上海市闵行区江川*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裸芯附接膜带 分离 半导体 系统 方法 | ||
公开了系统和方法,用于在晶片切割工艺期间将半导体裸芯从裸芯贴附的带移除。带包括基层和施加至基层的DAF。基层可以包括通孔过孔的图案。系统包括抽取工具,抽取工具包括支撑台、风扇和真空端。支撑台进一步包括孔。风扇设置在孔中或邻近孔。通过将带设置在支撑台上,使裸芯居中在孔上,风扇通过过孔对DAF施加正压,使DAF偏离基层。当真空端提取裸芯和DAF从基层脱离时,减少了半导体裸芯内的应力。
背景技术
便携式消费电子产品需求上的强劲增长推进了高容量存储器件的需求。非易失性半导体存储器件,例如闪存存储卡,正广泛地用于满足数字信息存储和交换上日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固设计,以及它们的高可靠性和大容量使得这样的存储器件理想地用于广泛种类的电子装置,包括例如数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和移动电话。
尽管已知各式各样的封装配置,但闪存存储卡通常可制作为系统级封装(SIP)或多裸芯模块(MCM),在这种情形下多个裸芯以所谓的三维堆叠配置安装在基板上。现有技术图1示出了常规半导体封装体20(没有模塑料(molding compound))的边视图。典型的封装体包括安装至基板26的多个半导体裸芯22、24。基板26可以在上表面形成有接触垫28,且半导体裸芯22、24可以在上表面形成有裸芯键合垫30。引线键合32焊接在半导体裸芯22、24的裸芯键合垫30和基板26的接触垫28之间,以将半导体裸芯电耦合至基板。基板上和基板内的电引线依次提供裸芯和主设备之间的电通路。一旦在裸芯和基板之间形成电连接,则组件被典型的包封在模塑料中以提供保护性封装体。
为了形成半导体封装体,执行裸芯键合工艺,在这种情形下,半导体裸芯被从晶片上切割、从粘性带上拾取、并被键合至基板。现有技术图2示出了包括多个半导体裸芯的晶片40,例如裸芯22(仅其中一些在图2中被编号)。晶片40上的每个半导体裸芯22已被处理为包括集成电路,如本领域已知的能够执行特定的电子功能。在对裸芯22进行坏裸芯检测后,晶片可以设置在称为裸芯附接膜(DAF)带的粘性膜上,然后例如通过锯或激光切割。切割工艺将晶片分离为单独的半导体裸芯22,单独的半导体裸芯22保持贴附至DAF带。图2示出了贴附至DAF带44的晶片40。
为了分离单独的裸芯,晶片和DAF带被设置在工艺工具中,现有技术图3示出了工艺工具的部分。图3示出了裸芯抽取工具(die extractor tool)50,其包括支撑晶片40和DAF带44的真空卡盘52。为了从DAF带44提取剥离裸芯,提供包括真空端62的拾取工具60。拾取工具60降落在要从DAF带44移除的裸芯22上,真空被施加至端62,然后裸芯22被拉起脱离带44。拾取工具然后运送裸芯22以附接至基板或运送到其它地方。
虽然在过去裸芯抽取工具表现的足够好,但目前裸芯厚度已经降至25微米(μm)且更薄。在这些厚度下,由DAF带和真空端施加在裸芯上的反作用力可能使裸芯破裂、变形和/或损坏,使得降低产量和减缓制造时间。
附图说明
图1是常规半导体器件的现有技术端视图。
图2是安装在DAF带上的半导体晶片的现有技术视图。
图3是将晶片上的半导体裸芯从DAF带分离的常规抽取工具的现有技术侧视图。
图4是示出了半导体器件的制造中的本技术的操作流程图。
图5是根据本技术的实施例的包括过孔的DAF带的横截面边视图。
图6是DAF带的基层的横截面边视图,其包括在基层中创造过孔的工具。
图7是根据本技术的实施例的包括过孔图案的DAF带的一段的俯视图。
图8是根据本技术的实施例的安装至DAF带的半导体裸芯的横截面边视图。
图9是根据本技术的实施例的安装至DAF带的一段的半导体裸芯的俯视图。
图10是根据本系统的实施例的抽取工具的支撑台的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造