[发明专利]固态图像拾取设备有效
申请号: | 201610164142.0 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN105720067B9 | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 下津佐峰生 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 周博俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 设备 | ||
1.一种用于制造设备的方法,包括:
准备包括第一基板并且包括设置在第一基板上的第一结构的第一构件,第一基板具有第一晶体管,第一结构包括介电材料膜、包括包含导电材料的第一部分并包括与第一部分相连接的第一布线层,所述第一结构的第一面包括所述第一部分以及第一结构的所述介电材料膜;
准备包括第二基板并且包括设置在第二基板上的第二结构的第二构件,第二基板具有第二晶体管,第二结构包括介电材料膜、包括包含导电材料的第二部分并包括与第二部分相连接的第二布线层,所述第二结构的第二面包括所述第二部分以及第二结构的所述介电材料膜;以及
将第一结构的第一面和第二结构的第二面接合使得第一结构和第二结构被布置在第一基板和第二基板之间,第一结构的介电材料膜和第二结构的介电材料膜彼此接合,并且第一部分和第二部分被彼此连接,
其中,第一结构的介电材料膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜,第二绝缘膜被设置在第一绝缘膜和第一基板之间,第一绝缘膜的介电材料与第二绝缘膜的介电材料不同,第一布线层被布置在第二绝缘膜和第一基板之间,
其中,第一部分被布置在至少由第二绝缘膜形成的槽中,以使得第二绝缘膜的一部分被布置在第一部分和第一布线层之间,第一部分中的导电材料和第一基板之间的距离不小于第一布线层和第一基板之间的距离,并且在沿着第一面的方向上不在第一部分的导电材料和第二绝缘膜之间布置任何介电材料膜,
其中,第一部分包含在沿着第一面的方向上被布置在第一部分的导电材料和第二绝缘膜之间的势垒金属膜,并且第一部分的势垒金属膜和第一基板之间的距离不小于第一布线层和第一基板之间的该距离,
其中,在接合之后,在与第二基板的主面垂直的方向上第一绝缘膜被布置在第二部分的导电材料和第二绝缘膜之间,以及
其中第一绝缘膜防止导电材料扩散。
2.一种用于制造设备的方法,包括:
准备包括第一基板并包括设置在第一基板上的第一结构的第一构件,第一基板具有第一晶体管,第一结构包括介电材料膜、包括包含导电材料的第一部分并包括与第一部分相连接的第一布线层,所述第一结构的第一面包括所述第一部分和第一结构的所述介电材料膜;
准备包括第二基板并且包括设置在第二基板上的第二结构的第二构件,第二基板具有第二晶体管,第二结构包括介电材料膜、包括包含导电材料的第二部分并包括与第二部分相连接的第二布线层,所述第二结构的第二面包括所述第二部分和第二结构的所述介电材料膜;以及
将第一结构的第一面和第二结构的第二面接合使得第一结构和第二结构被布置在第一基板和第二基板之间,第一结构的介电材料膜和第二结构的介电材料膜彼此接合,并且第一部分和第二部分被彼此连接,
其中,第一结构的介电材料膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜,第二绝缘膜被设置在第一绝缘膜和第一基板之间,第一绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同,并且第一布线层被布置在第二绝缘膜和第一基板之间,
其中,第一部分被布置在由至少第二绝缘膜形成的槽中,以使得第二绝缘膜的一部分被布置在第一部分和第一布线层之间,第一部分中的导电材料和第一基板之间的距离不小于第一布线层和第一基板之间的距离,并且在沿着第一面的方向上不在第一部分的导电材料和第二绝缘膜之间布置任何介电材料膜,
其中,第一部分包含势垒金属膜,该势垒金属膜在沿第一面的方向被布置在第一部分的导电材料和第二绝缘膜之间,并且第一部分的势垒金属膜按沿着第一面的方向被布置在第一部分的导电材料和第一绝缘膜之间,并且第一部分的势垒金属膜被布置在第一部分的导电材料和第一布线层之间,并且第一部分的势垒金属膜和第一基板之间的距离不小于第一布线层和第一基板之间的该距离,
其中第二结构的介电材料膜包括第三绝缘膜和第四绝缘膜,第四绝缘膜被布置在第三绝缘膜和第二基板之间,第三绝缘膜的材料与第四绝缘膜的材料不同,并且第二布线层被布置在第四绝缘膜和第二基板之间,
其中第二部分被布置在至少由第四绝缘膜形成的槽中,以使得第四绝缘膜的一部分被布置在第二部分和第二布线层之间,第二部分中的导电材料和第二基板之间的距离不小于第二布线层和第二基板之间的距离,并且在沿着第二面的方向上不在第二部分的导电材料和第四绝缘膜之间布置任何介电材料膜,
其中第二部分包含势垒金属膜,该势垒金属膜在沿第二面的方向被布置在第二部分的导电材料和第四绝缘膜之间,该势垒金属膜在沿第二面的方向被布置在第二部分的导电材料和第三绝缘膜之间,并且第二部分的该势垒金属膜被布置在第二部分的导电材料和第二布线层之间,并且第二部分的势垒金属膜和第二基板之间的距离不小于第二布线层和第二基板之间的该距离,以及
其中第一部分的导电材料是铜,第一绝缘膜包含硅氮化物、硅碳化物、硅碳氮化物或硅氧氮化物,第二部分的导电材料是铜,并且第三绝缘膜包含硅氮化物、硅碳化物、硅碳氮化物或硅氧氮化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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