[发明专利]一种制备黑硅材料的方法

权利要求书

1.一种制备黑硅材料的方法，包括以下步骤：

步骤1、对硅衬底进行清洗，以获得清洁的硅衬底备用；

步骤2、采用热蒸发的方式在硅衬底表面沉积一层硒膜作为杂质源，硒膜厚度为 50～300nm；

步骤3、采用磁控溅射的方式在步骤2制备的硅衬底硒膜上再制备一层硅膜作为硅保护 层，硅膜厚度为50～150nm；

步骤4、将步骤3制备的硅衬底在0.2～0.8atm氮气气氛下进行飞秒激光刻蚀，飞秒激光 刻蚀时入射光能量密度为1～10kJ/m²，扫描速度为0.5～10mm/s；

步骤5、将扫描刻蚀后的硅衬底放入氢氟酸中，除去表面的氧化硅层；用去离子水洗净 并用氮气吹干，得到黑硅。

2.如权利要求1所述制备黑硅材料的方法，其特征在于：所述硅衬底为N型硅片。

3.如权利要求1所述制备黑硅材料的方法，其特征在于：所述步骤1具体为采用RCA 标准清洗法对硅衬底进行清洗；再将已清洗的硅衬底放入丙酮中超声除去表面残留有机物； 最后将硅衬底在去离子水中超声清洁，并在氮气气氛下吹干备用。

4.采用权利要求1-3任一所述制备黑硅材料的方法制得的黑硅，其特征在于：在 400～1100nm波段的吸收率高于95％，在1100～2200nm波段的吸收率高于90％。