[发明专利]彩膜基板及其制作方法、液晶显示装置有效
申请号: | 201610176754.1 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN105607344B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 王海军 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 梁恺峥 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
1.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一衬底基板;
将量子点与PFA材料混合后涂覆在所述衬底基板上,其中,所述量子点包括R量子点、G量子点及B量子点;
采用掩膜对所述量子点与PFA材料进行曝光、显影后形成具有段差结构的量子点/PFA层,去除在所述衬底基板上形成的黑色矩阵;
在所述量子点/PFA层上涂覆彩色滤光层,其中,所述彩色滤光层包括R光阻层、G光阻层及B光阻层,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻形成于所述量子点/PFA层上方,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻紧靠在一起,其中,所述R光阻层的厚度与所述G光阻层的厚度相同,所述B光阻层的厚度比所述R光阻层的厚度或所述G光阻层的厚度厚0.1-0.5um。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述量子点/PFA层上涂覆彩色滤光层的步骤之后,所述制作方法还包括:
在所述彩色滤光层上形成偏光层;
在所述偏光层上形成ITO层;
在所述ITO层上形成PI层。
3.一种彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板包括:
衬底基板;
形成在所述衬底基板上的量子点/PFA层,去除在所述衬底基板上形成的黑色矩阵;
形成在所述量子点/PFA层上的彩色滤光层;
其中,所述量子点包括R量子点、G量子点及B量子点,所述彩色滤光层包括R光阻层、G光阻层及B光阻层,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻形成于所述量子点/PFA层上方,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻紧靠在一起,其中,所述R光阻层的厚度与所述G光阻层的厚度相同,所述B光阻层的厚度比所述R光阻层的厚度或所述G光阻层的厚度厚0.1-0.5um。
4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括:
形成在所述彩色滤光层上的偏光层;
形成在所述偏光层上的ITO层;
形成在所述ITO层上的PI层。
5.一种液晶显示装置,其特征在于,所液晶显示装置包括彩膜基板、阵列基板、背光模组及设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶,其中,所述彩膜基板包括:
第一衬底基板;
形成在所述第一衬底基板上的量子点/PFA层,去除在所述衬底基板上形成的黑色矩阵;
形成在所述量子点/PFA层上的彩色滤光层;
所述量子点包括R量子点、G量子点及B量子点,所述彩色滤光层包括R光阻层、G光阻层及B光阻层,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻形成于所述量子点/PFA层上方,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻紧靠在一起,其中,所述R光阻层的厚度与所述G光阻层的厚度相同,所述B光阻层的厚度比所述R光阻层的厚度或所述G光阻层的厚度厚0.1-0.5um。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于,所述彩膜基板还包括:
形成在所述彩色滤光层上的第一偏光层;
形成在所述第一偏光层上的第一ITO层;
形成在所述第一ITO层上的第一PI层。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述阵列基板包括:
第二衬底基板;
形成在所述第二衬底基板上的第二偏光层;
形成在所述第二衬底基板远离所述第二偏光层一侧的第二ITO层;形成在所述第二ITO层下的第二PI层;
所述液晶设置于所述第一PI层与所述第二PI层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610176754.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板和显示器
- 下一篇:触控显示装置及其制造方法