[发明专利]彩膜基板及其制作方法、液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201610176754.1 申请日: 2016-03-24
公开(公告)号: CN105607344B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 王海军 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/13357 分类号: G02F1/13357;G02F1/1335
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 梁恺峥
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 彩膜基板 及其 制作方法 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

提供一衬底基板;

将量子点与PFA材料混合后涂覆在所述衬底基板上,其中,所述量子点包括R量子点、G量子点及B量子点;

采用掩膜对所述量子点与PFA材料进行曝光、显影后形成具有段差结构的量子点/PFA层,去除在所述衬底基板上形成的黑色矩阵;

在所述量子点/PFA层上涂覆彩色滤光层,其中,所述彩色滤光层包括R光阻层、G光阻层及B光阻层,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻形成于所述量子点/PFA层上方,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻紧靠在一起,其中,所述R光阻层的厚度与所述G光阻层的厚度相同,所述B光阻层的厚度比所述R光阻层的厚度或所述G光阻层的厚度厚0.1-0.5um。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述量子点/PFA层上涂覆彩色滤光层的步骤之后,所述制作方法还包括:

在所述彩色滤光层上形成偏光层;

在所述偏光层上形成ITO层;

在所述ITO层上形成PI层。

3.一种彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板包括:

衬底基板;

形成在所述衬底基板上的量子点/PFA层,去除在所述衬底基板上形成的黑色矩阵;

形成在所述量子点/PFA层上的彩色滤光层;

其中,所述量子点包括R量子点、G量子点及B量子点,所述彩色滤光层包括R光阻层、G光阻层及B光阻层,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻形成于所述量子点/PFA层上方,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻紧靠在一起,其中,所述R光阻层的厚度与所述G光阻层的厚度相同,所述B光阻层的厚度比所述R光阻层的厚度或所述G光阻层的厚度厚0.1-0.5um。

4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括:

形成在所述彩色滤光层上的偏光层;

形成在所述偏光层上的ITO层;

形成在所述ITO层上的PI层。

5.一种液晶显示装置,其特征在于,所液晶显示装置包括彩膜基板、阵列基板、背光模组及设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶,其中,所述彩膜基板包括:

第一衬底基板;

形成在所述第一衬底基板上的量子点/PFA层,去除在所述衬底基板上形成的黑色矩阵;

形成在所述量子点/PFA层上的彩色滤光层;

所述量子点包括R量子点、G量子点及B量子点,所述彩色滤光层包括R光阻层、G光阻层及B光阻层,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻形成于所述量子点/PFA层上方,所述R光阻层、G光阻层及B光阻层依次相邻紧靠在一起,其中,所述R光阻层的厚度与所述G光阻层的厚度相同,所述B光阻层的厚度比所述R光阻层的厚度或所述G光阻层的厚度厚0.1-0.5um。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于,所述彩膜基板还包括:

形成在所述彩色滤光层上的第一偏光层;

形成在所述第一偏光层上的第一ITO层;

形成在所述第一ITO层上的第一PI层。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述阵列基板包括:

第二衬底基板;

形成在所述第二衬底基板上的第二偏光层;

形成在所述第二衬底基板远离所述第二偏光层一侧的第二ITO层;形成在所述第二ITO层下的第二PI层;

所述液晶设置于所述第一PI层与所述第二PI层之间。

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