[发明专利]适于接触式光刻机的分区域曝光装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置。

背景技术

接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5gm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行X、Y方向及旋转的定位控制。掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制定位台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光曝光，光线通过掩模版透明的部分，图形就转移到了光刻胶上。接触式光刻机把掩模版的图形一次全部复制到衬底上。因此，接触式光刻机一般用于能容忍较高缺陷水平的器件研究和其他应用方面。

光刻是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。

紫外光刻是用紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂(光刻胶)为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

SUSS MA6双面光刻机是设计用于实验室扩展研发、小批量生产或者试制生产环境下的高分辨率光刻系统。SUSS的MA6型光刻机被认为是从半导体亚微米技术研究到三维微系统生产的全行业技术标杆。这套创新的系统可以满足客户对精度、可靠性和低成本的要求。

SUSS MA6适用于所有标准光刻应用。针对厚胶MEMS应用，SUSS MA6提供高质量的曝光光学系统来满足高分辨以及极佳边缘质量的要求。功能强大的SUSS MA6可选装背面对准显微镜，该显微镜可帮助完成准确的背面工艺。此外，SUSS MA6还能灵活定制，实现易碎III-V族化合物，超薄或者翘曲晶圆的应用。

在实际工艺中，总是遇到需要一片基片上曝光一半、四分之一或者更小区域的图形，以便于区别比较后续工艺，比如刻蚀、溅射等等。现有的方法一般是采用滤光纸片遮挡，但滤光纸有几个问题：1.纸是柔性的，可塑性差。2.一层甚至多层滤光纸都挡不住强烈的紫外光，效果差。3.无法定位放置，遮挡部位与理想位置差距大。在滤光纸有这么多的问题，在实际的工作中带来很多不便，因此需要设计一个简单有效的装置来解决接触式光刻分区域曝光的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，用以解决现存技术中使用滤光纸片遮挡而导致的可塑性差、遮光效果差及无法定位放置的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，所述适于接触式光刻机的分区域曝光装置包括：第一滑槽导轨组、第二滑槽导轨组、第一挡板及第二挡板；

所述第一滑槽导轨组包括一对平行间隔分布的第一滑槽导轨；所述第一滑槽导轨包括第一导轨本体及设置于所述第一导轨本体上的第一滑槽；所述第一滑槽位于所述第一滑槽导轨的内侧；

所述第一挡板位于所述第一滑槽导轨之间，且所述第一挡板的两端分别位于两所述第一滑槽导轨上的所述第一滑槽内，并可沿所述第一滑槽的长度方向滑动；

所述第二滑槽导轨组包括一对平行间隔排布的第二滑槽导轨；所述第二滑槽导轨横跨所述第一滑槽导轨组，并固定于所述第一滑槽导轨的表面，且所述第二滑槽导轨与所述第一滑槽导轨相垂直；所述第二滑槽导轨包括第二导轨本体及设置于所述第二导轨本体上的第二滑槽；所述第二滑槽位于所述第二滑槽导轨的内侧；

所述第二挡板位于所述第二滑槽导轨之间，且所述第二挡板的两端分别位于两所述第二滑槽导轨上的所述第二滑槽内，并可沿所述第二滑道的长度方向滑动。

作为本发明的适于接触式光刻机的分区域曝光装置的一种优选方案，所述第一滑槽的长度方向与所述第一导轨本体的长度方向一致，且所述第一滑槽自所述第一导轨本体的一端面延伸至另一端面。

作为本发明的适于接触式光刻机的分区域曝光装置的一种优选方案，所述第二滑槽的长度方向与所述第二导轨本体的长度方向一致，且所述第二滑槽自所述第二导轨本体的一端面延伸至另一端面。

作为本发明的适于接触式光刻机的分区域曝光装置的一种优选方案，所述第一滑槽导轨的端面与所述第二滑槽导轨的外侧相平齐，且所述第二滑槽导轨的端面与所述第一滑槽导轨的外侧相平齐。