[发明专利]一种太阳能电池模块及其制备方法和组件、系统有效
申请号: | 201610181690.4 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105702769B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 林建伟;刘志锋;孙玉海;季根华;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/049;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 模块 及其 制备 方法 组件 系统 | ||
1.一种太阳能电池模块的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)、制备太阳能电池片,选择预处理过的P型太阳能电池基体,在P型太阳能电池基体的背表面使用铝浆印刷全铝背电极并进行烘干;在正表面铺设粘附有银浆的金属线并烘干,金属线延伸出P型太阳能电池基体的边缘;之后将P型太阳能电池基体传送入烧结炉进行烧结;使用切割装置将处理后的P型太阳能电池基体进行切割,得到P型太阳能电池片;
(2)、选择嵌有金属导电板的背板,然后将P型太阳能电池片的正表面向上置于金属导电板上,然后使用导电胶将P型太阳能电池片延伸出边缘的金属线与金属导电板连接,重复这一步骤即得到多块P型太阳能电池片串接的太阳能电池模块;
其中,
步骤(1)中烧结的峰值温度为850-950℃,所述切割装置是激光切割机;
步骤(1)中对P型太阳能电池基体进行预处理的方法包括:
SP1、选择P型晶体硅基体,并对P型晶体硅基体的表面作制绒处理;P型晶体硅基体的电阻率为0.5~15Ω·cm,厚度为50~300μm;
SP2、将步骤SP1处理后的P型晶体硅基体放入工业用扩散炉中进行磷扩散,磷源采用三氯氧磷,扩散温度为800-900℃,时间为60-120分钟;磷扩散后的方阻值为50-150Ω/sqr;
SP3、将磷扩散后的P型晶体硅基体放入刻蚀清洗机中,去除背表面的磷扩散层和正面的磷硅玻璃层;
SP4、将步骤SP3处理后的P型晶体硅基体放入PECVD设备中,在正表面镀上氮化硅层,氮化硅层的厚度为65-80nm,折射率为2.05-2.15。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的