[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201610189104.0 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105609567A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张慧娟;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源极、漏极、绝缘层和有源层；
所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，所述绝 缘层设置在所述有源层、所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层上，所述 绝缘层中设有第一接触孔和第二接触孔；
所述源极通过所述第一接触孔与所述有源层电联接，所述漏极通过所述第 二接触孔与所述有源层电联接；
所述第一刻蚀阻挡层位于所述有源层与所述源极之间，所述第二刻蚀阻挡 层位于所述有源层与所述漏极之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述源极包括N层结构，N为大于0的整数，所述源极中的第一层与所述 第一刻蚀阻挡层连接，所述第一刻蚀阻挡层的材料与所述源极中的第一层的材 料相同；
所述第二刻蚀阻挡层和所述第一刻蚀阻挡层的材料相同，所述漏极和所述 源极的材料和结构均相同。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的 材料包括金属。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的 材料为钼。
5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的 材料为低温多晶硅。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括第一掺 杂区和第二掺杂区，所述第一刻蚀阻挡层设置在所述第一掺杂区上，所述第二 刻蚀阻挡层设置在所述第二掺杂区上。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶 体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成有源层；
在所述有源层上形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；
在所述有源层、所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层上形成绝缘层；
在所述绝缘层中对应所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层的位置进 行刻蚀形成第一接触孔和第二接触孔，并裸露出所述第一刻蚀阻挡层和所述第 二刻蚀阻挡层；
在所述第一接触孔和所述第二接触孔中分别形成源极和漏极。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，
所述源极包括N层结构，N为大于0的整数，所述源极中的第一层与所述 第一刻蚀阻挡层连接，所述第一刻蚀阻挡层的材料与所述源极中的第一层的材 料相同；
所述第二刻蚀阻挡层和所述第一刻蚀阻挡层的材料相同，所述漏极和所述 源极的材料和结构均相同。
11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的 材料包括金属。
12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的 材料为钼。
13.如权利要求9-12任一项所述的制作方法，其特征在于，所述有源层的 材料为低温多晶硅。
14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述有源层包括第一掺 杂区和第二掺杂区，所述第一刻蚀阻挡层形成在所述第一掺杂区上，所述第二 刻蚀阻挡层形成在所述第二掺杂区上。
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