[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器加工领域，特别涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列 基板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管用于制作具有高端显示效果的显示器。显示器上的每一像素点 发光都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。

目前，薄膜晶体管的制作方法包括：形成有源层，该有源层包括源极掺杂 区和漏极掺杂区，在有源层上沉积绝缘层，分别对源极掺杂区上方的绝缘层和 漏极掺杂区上方的绝缘层进行刻蚀，以裸露出源极掺杂区和漏极掺杂区并形成 两个接触孔，在绝缘层上沉积源漏金属层，构图工艺后形成源极和漏极。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

目前，在绝缘层上刻蚀接触孔时，由于刻蚀工艺难以掌握，经常造成接触 孔的欠刻或者过刻，欠刻或者过刻都会对薄膜晶体管造成不良影响，降低制作 薄膜晶体管的良率。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及制作方 法、阵列基板、显示装置。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源极、漏极、绝缘层和有源层；

第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层设置在有源层上，绝缘层设置在有源层、 第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层上，绝缘层中设有第一接触孔和第二接触孔；

源极通过第一接触孔与有源层电联接，漏极通过第二接触孔与有源层电联 接；

第一刻蚀阻挡层位于有源层与源极之间，第二刻蚀阻挡层位于有源层与漏 极之间。

可选地，源极包括N层结构，N为大于0的整数，源极中的第一层与第一 刻蚀阻挡层连接，第一刻蚀阻挡层的材料与源极中的第一层的材料相同；

第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层的材料相同，漏极和源极的材料和结构 均相同。

可选地，第一刻蚀阻挡层的材料包括金属。

可选地，第一刻蚀阻挡层的材料为钼。

可选地，有源层的材料为低温多晶硅。

可选地，有源层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一刻蚀阻挡层设置在第 一掺杂区上，第二刻蚀阻挡层设置在第二掺杂区上。

另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括所述的薄膜晶体管。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。

另一方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作 方法包括：

形成有源层；

在有源层上形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；

在有源层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层上形成绝缘层；

在绝缘层中对应第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层的位置进行刻蚀形成第 一接触孔和第二接触孔，并裸露出第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；

在第一接触孔和第二接触孔中分别形成源极和漏极。

可选地，源极包括N层结构，N为大于0的整数，源极中的第一层与第一 刻蚀阻挡层连接，第一刻蚀阻挡层的材料与源极中的第一层的材料相同；

第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层的材料相同，漏极和源极的材料和结构 均相同。

可选地，第一刻蚀阻挡层的材料包括金属。

可选地，第一刻蚀阻挡层的材料为钼。

可选地，有源层的材料为低温多晶硅。

可选地，有源层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一刻蚀阻挡层形成在第 一掺杂区上，第二刻蚀阻挡层形成在第二掺杂区上。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在绝缘层中形成接触孔时，可直接刻蚀到第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡 层，有效防止了欠刻的问题，又通过第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层对有源 层进行阻挡，有效防止了刻蚀过程中刻蚀到有源层，有效防止了过刻的问题， 提高了制作薄膜晶体管的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；