[发明专利]叠层柔性基板及制作方法在审
申请号: | 201610191158.0 | 申请日: | 2016-03-30 |
公开(公告)号: | CN105702624A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 刘哲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是涉及一种叠层柔性基板及制作 方法。
背景技术
在柔性显示面板中,通常使用叠层的结构设计(stacked flexiblesubstrate),即利用“有机-无机-有机-无机”多层交 叠的薄膜作为柔性基底来提高显示基板阻隔水氧的能力。在目前 的叠层柔性基底中,可能会出现:①无机薄膜应力堆积造成的膜 面破损;②有机无机薄膜界面黏合力不够引起的膜面误剥离问 题。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种叠层柔性基板及制作方法;以解 决现有的无机薄膜应力堆积造成的膜面破损问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种叠层柔性基板的制作方法,包括以下 步骤:
在基板上涂布第一有机层,并在第一有机层上形成多个第一 凹槽;
在第一有机层上沉积第一无机层,该第一无机层的最大厚度 小于第一凹槽的最小深度;
在第一无机层上沉积第二有机层,并在第二有机层上形成多 个第二凹槽;
在第二有机层上沉积第二无机层,该第二无机层的最大厚度 小于第二凹槽的最小深度;
在第二无机层上涂布平坦层;
将基板与第一有机层剥离。
在本发明所述的叠层柔性基板的制作方法中,该多个第一凹 槽的深度相同,且该第一无机层的厚度均匀;该多个第二凹槽的 深度相同,且该第二无机层的厚度均匀。
在本发明所述的叠层柔性基板的制作方法中,该多个第一凹 槽分别与该多个第二凹槽一一对应,每一第一凹槽与对应的第二 凹槽正对且形状和大小相同。
在本发明所述的叠层柔性基板的制作方法中,所述第一有机 层、第二有机层以及所述平坦层均为聚酰亚胺纤维层。
在本发明所述的叠层柔性基板的制作方法中,该多个第一凹 槽按照矩形阵列排布,该多个第二凹槽按照矩形阵列排布。
在本发明所述的叠层柔性基板的制作方法中,所述在第一有 机层上形成多个第一凹槽的步骤包括:
通过卷对卷压印的方法在该第一有机层上进行图案化处理, 以形成该多个第一凹槽。
在本发明所述的叠层柔性基板的制作方法中,所述在第二有 机层上形成多个第二凹槽的步骤包括:
通过卷对卷压印的方法在该第二有机层上进行图案化处理, 以形成该多个第二凹槽。
本发明还提供了一种叠层柔性基板,包括:
第一有机层,其上形成多个第一凹槽;
第一无机层,其沉积于该第一有机层上,该第一无机层的最 大厚度小于第一凹槽的最小深度;
第二有机层,其沉积于该第一无机层上,该第二有机层上形 成有多个第二凹槽;
第二无机层,其沉积于该第二有机层上,该第二无机层的最 大厚度小于第二凹槽的最小深度;
平坦层,其沉积于该第二无机层上。
在本发明所述的叠层柔性基板中,所述第一有机层、第二有 机层以及所述平坦层均为聚酰亚胺纤维层。
在本发明所述的叠层柔性基板中,该多个第一凹槽按照矩形 阵列排布,该多个第二凹槽按照矩形阵列排布。
相较于现有技术,本发明提供的叠层柔性基板及制作方法通 过在第一有机层以及第二有机层上进行图形化处理形成多个第 一凹槽以及第二凹槽,使得叠层柔性基弯曲时,在施力方向上的 实际累积应力的物理长度减小,降低了应力堆积的几率;并且由 于第一有机层与第二有机层可以通过第一凹槽的内侧壁进行接 触,第二有机层和平坦层可以通过第二凹槽的内侧壁进行接触, 增加了有机层之间的粘附力,减小了后续制程中的膜面脱落的可 能性;并且由于采用“有机-无机”图案化的结构,增加了该叠 层柔性基板实际的柔韧度,可实现显示基板更小曲率半径的弯 折。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施 例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明的叠层柔性基板的优选实施例的结构示意图;
图2为本发明的叠层柔性基板的另一优选实施例的结构示意 图;
图3为本发明叠层柔性基板的制作方法的优选实施例的流程 图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造