[发明专利]灵敏放大器

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：第一PMOS管，第一电流路径，第二电流路径，第三电流路径；

所述第一电流路径连接在所述第一PMOS管的栅极和地之间，存储单元位于所述第一电流路径中，所述第一电流路径用于在放大过程中提供存储单元电流，令第一值为所述存储单元的存储数据为1时所述存储单元电流的大小、第二值为所述存储单元的存储数据为0时所述存储单元电流的大小；

所述第二电流路径连接在所述第一PMOS管的栅极和电源电压之间，所述第二电流路径在放大过程中提供存储单元比较电流，所述存储单元比较电流的大小为第三值，所述第三值设置为大于所述第一值使所述存储单元的存储数据为1时所述第一PMOS管的栅极上拉为高电平从而使所述第一PMOS管断开；所述第三值设置为小于所述第二值使所述存储单元的存储数据为0时所述第一PMOS管的栅极下拉为低电平从而使所述第一PMOS管导通；

所述第一PMOS管的源极通过第一开关连接到电源电压，第三电流路径连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间，所述第一PMOS管的漏极连接到第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端作为灵敏放大器的输出端并输出所读取的数据输出信号；

所述第一开关在放大过程中导通从而使所述第一PMOS管的源极连接到电源电压；

所述第三电流路径的电流大小为第四值；第四值的大小满足：放大过程中，所述第一PMOS管断开时所述第三电流路径使所述第一PMOS管的漏极和地连接从而保持低电平，在所述第一PMOS管导通时流过所述第一PMOS管的电流大于所述第三电流路径的电流从而使第一PMOS管的漏极电压上拉为高电平。

2.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于：灵敏放大器还包括预充电单元，所述预充电单元连接在电源电压和所述第一电流路径的输出端之间，所述预充电单元用于在预充电过程中对所述第一电流路径中的位线节点充电。

3.如权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于：所述预充电单元由第二PMOS管组成，所述第二PMOS管的源极连接电源电压，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一电流路径的输出端，所述第二PMOS管的栅极连接预充电信号。

4.如权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于：所述第一电流路径包括位线调整单元，所述位线调整单元的第一端作为所述第一电流路径的输出端，所述位线调整单元的第二端通过列多路选择电路连接到所述存储单元的位线节点，所述存储单元连接在所述位线节点和地之间；所述位线调整单元在预充电过程中使所述位线节点电位箝位以及在放大过程中输出所述存储单元电流。

5.如权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于：所述位线调整单元由第一NMOS管和第二反相器组成，所述第一NMOS管的漏极为所述位线调整单元的第一端，所述第一NMOS管的源极为所述位线调整单元的第二端，所述第二反相器连接在所述第一NMOS管的源极和栅极之间，在预充电过程中预充电完成后的所述位线节点电位根据所述第二反相器的翻转点大小进行箝位。

6.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于：所述第一开关由第三PMOS管组成，所述第三PMOS管的源极连接电源电压，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极连接第一控制信号，所述第一控制信号为预充电信号和放大器工作使能信号进行与非运算后的信号。

7.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于：所述第二电流路径由串联的第二开关和第一镜像电流源组成，所述第二开关控制所述第二电流路径的导通和关断，所述第一镜像电流源在所述第二电流路径导通时提供所述存储单元比较电流。

8.如权利要求7所述的灵敏放大器，其特征在于：所述第二开关由第四PMOS管组成，所述第四PMOS管的源极连接所述第一镜像电流源的输出端，所述第四PMOS管的漏极作为所述第二电流路径的输出端并连接所述第一PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的栅极连接放大器工作使能信号的反相信号。

9.如权利要求7所述的灵敏放大器，其特征在于：所述第一镜像电流源由第五PMOS管组成，所述第五PMOS管的源极连接电源电压，所述第五PMOS管的漏极作为所述第一镜像电流源的输出端并连接所述第二开关，所述第五PMOS管的栅极连接第一偏置电压，由所述第一偏置电压确定所述第三值。