[发明专利]干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法

权利要求书

1.一种干蚀刻装置，其特征在于，包括上电极板(1)、与上电极板(1)相对间隔设置的下电极板(2)、设于所述下电极板(2)上的吸附平台(3)、设在所述下电极板(2)上并包围吸附平台(3)四周边缘的屏蔽环(4)、及设在所述屏蔽环(4)与下电极板(2)之间的阳极膜(5)；

所述屏蔽环(4)包括屏蔽环本体(41)、及多个独立的细部调整件(42)；所述屏蔽环本体(41)顶部趋近吸附平台(3)的部位具有横截面呈“L”形的缺口(411)，所述细部调整件(42)置于所述横截面呈“L”形的缺口(411)上；通过移动细部调整件(42)使其与吸附平台(3)紧密接触不留缝隙后再将细部调整件(42)固定于屏蔽环本体(41)的方式减小屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间的缝隙。

2.如权利要求1所述的干蚀刻装置，其特征在于，所述多个独立的细部调整件(42)中：部分细部调整件(42)呈长条形，用于与吸附平台(3)的直边紧密接触不留缝隙；部分细部调整件(42)呈圆弧形，用于与吸附平台(3)两直边之间的过渡圆角(r)紧密接触不留缝隙。

3.如权利要求2所述的干蚀刻装置，其特征在于，所述屏蔽环本体(41)包括四个形状相同的屏蔽环本体基块，所述四个形状相同的屏蔽环本体基块相互拼接，每一屏蔽环本体基块包括横部(A)、与横部(A)垂直的纵部(B)、及位于横部(A)与纵部(B)之间的拐角部(C)；所述横部(A)、纵部(B)、及拐角部(C)顶部趋近吸附平台(3)的部位具有横截面呈“L”形的缺口(411)，一长条形细部调整件(42)置于所述横部(A)的缺口(411)上，另一长条形细部调整件(42)置于所述纵部(B)的缺口(411)上，一圆弧形细部调整件(42)置于所述拐角部(C)的缺口(411)上。

4.如权利要求1至3任一项所述的干蚀刻装置，其特征在于，所述屏蔽环本体(41)在与缺口(411)相对的背部开有阶梯形通孔(412)，所述细部调整件(42)通过设于阶梯形通孔(412)内的陶瓷垫片(51)、及陶瓷螺丝(52)与屏蔽环本体(41)锁紧。

5.如权利要求1所述的干蚀刻装置，其特征在于，所述屏蔽环本体(41)、及多个细部调整件(42)的材料为绝缘的氧化铝陶瓷。

6.一种降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一吸附平台(3)、及包围吸附平台(3)四周边缘的屏蔽环本体(41)；

步骤2、将所述屏蔽环本体(41)顶部趋近吸附平台(3)的部位进行裁切，去除材料，形成横截面呈“L”形的缺口(411)；

步骤3、提供多个独立的细部调整件(42)，先将多个独立的细部调整件(42)置于所述横截面呈“L”形的缺口(411)上，然后移动细部调整件(42)使其与吸附平台(3)紧密接触不留缝隙，最后将细部调整件(42)固定于屏蔽环本体(41)，减小屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间的缝隙。

7.如权利要求6所述的降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，其特征在于，所述多个独立的细部调整件(42)中：部分细部调整件(42)呈长条形，用于与吸附平台(3)的直边紧密接触不留缝隙；部分细部调整件(42)呈圆弧形，用于与吸附平台(3)两直边之间的过渡圆角(r)紧密接触不留缝隙。

8.如权利要求7所述的降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，其特征在于，所述屏蔽环本体(41)包括四个形状相同的屏蔽环本体基块，所述四个形状相同的屏蔽环本体基块相互拼接，每一屏蔽环本体基块包括横部(A)、与横部(A)垂直的纵部(B)、及位于横部(A)与纵部(B)之间的拐角部(C)；所述横部(A)、纵部(B)、及拐角部(C)顶部趋近吸附平台(3)的部位具有横截面呈“L”形的缺口(411)，一长条形细部调整件(42)置于所述横部(A)的缺口(411)上，另一长条形细部调整件(42)置于所述纵部(B)的缺口(411)上，一圆弧形细部调整件(42)置于所述拐角部(C)的缺口(411)上。