[发明专利]干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法

说明书

本发明提供一种干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，设置屏蔽环包括屏蔽环本体(41)、及多个独立的细部调整件(42)，在屏蔽环本体(41)顶部趋近吸附平台(3)的部位裁切出横截面呈“L”形的缺口(411)，所述细部调整件(42)置于所述横截面呈“L”形的缺口(411)上，通过移动细部调整件(42)使其与吸附平台(3)紧密接触后再将细部调整件(42)固定于屏蔽环本体(41)的方式减小屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间的缝隙，尤其是屏蔽环(4)与吸附平台(3)之间由于圆角搭配不当产生的缝隙，从而能够减少异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法。

背景技术

随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长，因而也推动了液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、以及有机发光二极管显示器(Organic LightEmitting Diode，OLED)行业的快速发展。不论是LCD、还是OLED，均包括一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)，蚀刻是制造TFT阵列基板过程中的一个重要制程。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺，其中干蚀刻工艺通过激发或解离蚀刻气体分子得到等离子体，利用等离子体做射频(Radio Frequency，RF)轰击对薄膜进行蚀刻的技术。

如图1所示，现有的干蚀刻装置通常包括：上电极板100、与上电极板100相对间隔设置的下电极板200、设于所述下电极板200上的吸附平台300、及与上电极板100、下电极板200相连的电源(未图示)。所述上电极板100与下电极板200之间形成高压电场，驱动等离子对固定在吸附平台300上的晶元或基板做RF轰击，进行干蚀刻。若下电极板200和固定晶元或基板的吸附平台尺寸一样大小，则会导致待蚀刻晶元或基板的边缘上方的等离子体的能量减少，导致对晶元或基板的蚀刻不均匀。为解决上述问题，通常在干蚀刻装置中，下电极板200的尺寸要大于吸附平台300的尺寸。这种情况下，为了抵挡RF轰击下电极板200、及铺在下电极板200上的阳极膜400，防止电流直接穿透至阳极膜400及下电极板200引发的异常放电与停机，图1所示的干蚀刻装置中还设置了包围吸附平台300四周边缘的屏蔽环(Shield Ring)500，该屏蔽环500的材料采用绝缘的氧化铝陶瓷(Ceramic Al₂O₃)。

如图2所示，所述吸附平台300的四个拐角均被研磨成第一圆角r，所述屏蔽环500由四个形状相同的屏蔽基块拼接构成，该屏蔽环500对应于吸附平台300的第一圆角r的拐角被处理为第二圆角R，存在第一圆角r与第二圆角R搭配性的问题，若二者搭配不当，如R>r时，屏蔽环500与吸附平台300之间将会产生缝隙。结合图2与图1，屏蔽环500与吸附平台300之间由于圆角搭配不当产生的缝隙会导致在大功率RF轰击时等离子体电浆泄露至阳极膜400及下电极板200，造成异常放电和停机问题，这就需要破除干蚀刻所处的真空腔体环境，取出吸附平台300进行更换或重新研磨圆角，不仅费时费力，还增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种干蚀刻装置，能够减少异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。

本发明的目的还在于提供一种降低干蚀刻装置内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法，有助于减少干蚀刻装置的异常放电和停机问题，提高产能，节约成本。

为实现上述目的，本发明首先提供一种干蚀刻装置，包括上电极板、与上电极板相对间隔设置的下电极板、设于所述下电极板上的吸附平台、设在所述下电极板上并包围吸附平台四周边缘的屏蔽环、及设在所述屏蔽环与下电极板之间的阳极膜；