[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积透明导电膜(11)和遮光膜(12)；

步骤2、采用一道半透光罩(15)对所述透明导电膜(11)与遮光膜(12)进行图形化处理，得到位于基板(10)上且间隔设置的透明导电层(21)与公共电极(22)、以及位于透明导电层(21)上方与其宽度相等且两端对齐的遮光层(30)；

步骤3、在所述遮光层(30)、公共电极(22)、及基板(10)上沉积缓冲层(40)，在所述缓冲层(40)上依次沉积氧化物半导体层(41)、绝缘层(42)、及栅极金属层(43)；

步骤4、采用一道光罩对所述栅极金属层(43)与绝缘层(42)进行图形化处理，得到宽度相等且两端对齐的栅极(50)及栅极绝缘层(60)；

以所述栅极(50)与栅极绝缘层(60)为遮蔽层，对所述氧化物半导体层(41)进行离子掺杂，将所述氧化物半导体层(41)上未被所述栅极(50)及栅极绝缘层(60)覆盖的区域转化为氧化物导体；

步骤5、采用一道光罩对所述氧化物半导体层(41)进行图形化处理，形成有源层(70)以及与有源层(70)相连的像素电极(80)；

所述有源层(70)包括对应于所述栅极(50)下方的沟道区(71)、位于所述沟道区(71)一侧的漏极接触区(72)、位于所述沟道(71)另一侧且与像素电极(80)相连的连接区(73)；其中，所述有源层(70)的沟道区(71)为氧化物半导体材料，所述有源层(70)的漏极接触区(72)与连接区(73)、以及像素电极(80)为氧化物导体材料；

所述氧化物半导体材料为透明金属氧化物半导体材料，所述氧化物导体材料为离子掺杂的透明金属氧化物半导体材料；

步骤6、在所述栅极(50)、有源层(70)、及缓冲层(40)上沉积第一钝化层(90)，采用一道光罩对该第一钝化层(90)进行图形化处理，在所述第一钝化层(90)上形成对应于所述漏极接触区(72)的通孔(91)；

步骤7、在所述第一钝化层(90)上沉积漏极金属层(95)，采用一道光罩对该漏极金属层(95)进行图形化处理，得到漏极(96)，所述漏极(96)通过通孔(91)与所述有源层(70)的漏极接触区(72)相接触，在所述漏极(96)、及第一钝化层(90)上沉积第二钝化层(98)，完成TFT基板的制作。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤21、在所述遮光膜(12)上涂布一光阻层(14)，采用一半透光罩(15)对所述光阻层(14 )进行图形化处理，得到间隔设置的第一光阻段(16)与第二光阻段(17)；所述第一光阻段(16)的厚度大于所述第二光阻段(17)的厚度；

步骤22、以所述第一光阻段(16)与第二光阻段(17)为阻挡层，对所述透明导电膜(11)与遮光膜(12)进行蚀刻，得到对应于所述第一光阻段(16)下方的遮光层(30)与透明导电层(21)、以及对应于所述第二光阻段(17)下方的遮光段(31)与公共电极(22)；

步骤23、对所述第一光阻段(16)与第二光阻段(17)进行灰化处理，薄化第一光阻段(16)并去除第二光阻段(17)；

步骤24、以第一光阻段(16)为阻挡层，对所述遮光段(31)进行蚀刻，去除该遮光段(31)；

步骤25、将剩余的第一光阻段(16)剥离去除。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述半透光罩(15)为灰阶光罩、半色调光罩、或者单缝光罩。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，对所述氧化物半导体层(41)进行离子掺杂的方式为等离子体处理。