[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，利用透明金属氧化物导体材料可见光透过率较高的特点以及将透明金属氧化物半导体掺杂处理成透明金属氧化物导体的方法，同时形成有源层与像素电极，能够达到减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本的目的；此外，仅采用一道半透光罩曝光、刻蚀形成公共电极以及遮光层和透明导电层形成的叠层遮光层，可进一步减少光罩次数，通过TFT下方设置遮光层，避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。本发明的TFT基板，制程简单，生产成本低，且TFT下方设有遮光层，避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

有源矩阵驱动的LCD显示技术利用了液晶的双极性偏振特点，通过施加电场控制液晶分子的排列方向，实现对背光源光路行进方向的开关作用。根据对液晶分子施加电场方向的不同，可以将LCD显示模式分为扭曲向列(Twisted Nematic，TN)，垂直配向(Vertical Alignment，VA)及平面转换(In-Plane Switching，IPS)系列模式。VA系列模式指对液晶分子施加纵向电场，而IPS系列模式指对液晶分子施加横向电场。而在IPS系列模式中，对于施加横向电场的不同，又可分为IPS模式和边缘场开关(Fringe FieldSwitching，FFS)模式等。其中FFS显示模式的每一个像素单元含有上下两层电极，即像素电极和公共电极，且下层的公共电极采用开口区整面平铺的方式。FFS显示模式具有高透过率，广视角以及较低的色偏等优点，是一种广泛应用的LCD显示技术。

随着大尺寸和高PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)以及高刷新频率产品的开发，铟镓锌氧化物(IGZO)为代表的氧化物半导体由于具有较高的迁移率受到了广泛的重视和应用。顶栅共面型TFT结构可以通过自对准的工艺使得栅电极与源漏电极的寄生电容大大减小，从而改善电阻电容延迟(RC Delay)。此外，顶栅共面型TFT结构的半导体沟道长度也可以做的较短，因而适用于高PPI的开发应用。由于顶栅共面型TFT的沟道易受到下方光照的影响，因而TFT电性的稳定性会劣化，因此该区域需要增加遮光层。然而，传统的FFS显示模式阵列基板制造方法需要较多的光罩次数，工艺比较复杂，生产成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够减少光罩数量、提高生产效率、降低生产成本。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，制程简单，生产成本低，且电学性能优异。