[发明专利]掩模板及其制作方法、使用方法以及包括该掩模板的设备

权利要求书

1.一种掩模板，包括第一透明基板，以及在所述第一透明基板上依次形成的：第一透明电极、电致变色层和第二透明电极，所述第一透明电极被配置为接受选择性的供电以形成不同形状的通电区域，其中所述第一透明电极由纵横交错的电极线的网格构成，并且该纵横交错的电极线由均匀布置的横向薄膜电极和纵向薄膜电极构成，所述横向薄膜电极与纵向薄膜电极相互绝缘。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其中所述掩模板还包括在所述第一透明基板和所述第一透明电极之间的用于对第一透明电极进行选择性供电的TFT阵列。

3.根据权利要求1所述的掩模板，其中所述电致变色层具体包括电致变色材料层、离子导电层和离子存储层，并且在所述电致变色材料层、离子导电层和离子存储层的边缘处封装有密封胶。

4.根据权利要求1所述的掩模板，其中在所述第二透明电极上设置有保护层。

5.根据权利要求1所述的掩模板，其中所述第二透明电极在第二透明基板上形成，并且通过将得到的所述第二透明基板与所述第一透明基板进行对盒，使所述第二透明电极形成在所述电致变色层和所述第二透明基板之间。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的掩模板，其中所述第二透明电极为整体的导电膜层，并且所述第二透明电极被直接镀到所述电致变色层上。

7.根据权利要求5所述的掩模板，其中所述第二透明电极由纵横交错的电极线的网格构成，并且该纵横交错的电极线由均匀布置的横向薄膜电极和纵向薄膜电极构成，所述横向薄膜电极与纵向薄膜电极相互绝缘。

8.根据权利要求5所述的掩模板，其中所述第二透明电极由电极块的阵列构成。

9.根据权利要求7或8所述的掩模板，其中在所述第二透明电极和所述第二透明基板之间还形成有用于对第二透明电极进行供电的TFT阵列。

10.根据权利要求1或7所述的掩模板，其中在纵横交错的电极线中，在纵电极线和横电极线相互交叉的部分之间形成有绝缘层。

11.根据权利要求1或7所述的掩模板，其中纵电极线和横电极线中的每条电极线均电气连接到TFT阵列中与该条电极线邻近的TFT单元中的漏极。

12.一种制作掩模板的方法，包括以下步骤：

在第一透明基板上设置第一透明电极，所述第一透明电极被配置为接受选择性的供电以形成不同形状的通电区域，其中所述第一透明电极由纵横交错的电极线的网格构成，并且该纵横交错的电极线由均匀布置的横向薄膜电极和纵向薄膜电极构成，所述横向薄膜电极与纵向薄膜电极相互绝缘；

在所述第一透明电极上形成电致变色层；

在所述电致变色层上设置第二透明电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述电致变色层具体包括依次形成电致变色材料层、离子导电层和离子存储层，并且所述方法还包括以下步骤：

利用密封胶封装所述电致变色材料层、离子导电层和离子存储层的边缘。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：

在形成所述第一透明电极之前，在所述第一透明基板上设置用于对第一透明电极进行选择性供电的TFT阵列。

15.根据权利要求14所述的方法，其中设置第一透明电极的步骤具体包括：

在所述TFT阵列上设置纵横交错的电极线的网格，其中每个电极线连接到所述TFT阵列中与该电极线相邻的TFT单元的漏极。