[发明专利]半导体晶片的切割方法有效
| 申请号： | 201610199755.8 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105702629B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵军帅;吴婷婷 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 切割 方法 | ||
1.半导体晶片的切割方法，将晶片放置于胶膜上，采用切割刀对晶片的正面进行纵向和横向切割，形成芯粒，其特征在于：在切割过程中，通过固定频率检查胶膜上的切割刀痕并根据所述刀痕调整所述切割刀的高度，使胶膜上的刀痕呈虚线状态，在切割过程中，采用同一切割刀先切穿再半切，循环作业。
2.权利要求1所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：在切割过程中，按照固定周期中止切割检查所述胶膜上的刀痕，当所述刀痕不是呈虚线状态，调整所述切割片的高度。
3.权利要求2所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：所述切割刀的底端距离所述晶片底部在-2μm~+2μm之间。
4.权利要求2所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：当所述刀痕呈实线状态，调高所述切割刀的高度。
5.权利要求2所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：当所述胶膜上无刀痕时，调低所述切割刀的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：所述固定频率为每切割50~200刀检查一次所述胶膜上的切割刀痕。
7.根据权利要求1所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：所述半导体晶片为基于GaAs衬底的外延晶片。
8.根据权利要求1所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：在切割前，采用预切割板打磨切割刀片。
9.根据权利要求8所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：所述预切割板采用报废的GaAs衬底。
10.根据权利要求1所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于：所述切割刀为金刚石砂轮。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610199755.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便携式可调开缆刀
- 下一篇：一种新型架空线路指示器安装工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
