[发明专利]半导体晶片的切割方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶片的切割方法，其在切割过程中固定中止切割检查所述胶膜上的刀痕，并对应调整所述切割片的高度，具体地，将晶片放置于胶膜上，采用切割刀对晶片的正面进行纵向和横向切割，形成芯粒，其中在切割过程中，通过固定频率调整所述切割刀的高度，使胶膜上的刀痕呈虚线状态，以改善晶片崩裂现象。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体为一种半导体晶片的切割方法。

背景技术

在一般的晶片制作工艺完成后，需要进行晶片切割(wafer dicing)步骤来将制作于其上的各种电路或结构切割成一个个独立的单元，如芯粒 (die) 或结构模块，之后才进行封装或组装动作。在切割后芯粒经常会出现背崩异常(背面面积缺失)，成为业界难以攻克的问题之一。

在晶片切割中，切割刀高（刀刃低端距离载片盘表面的距离）是影响背崩的主要因素，但受切割载片盘平整度(目前业界盘面平整度的最好水平为±5μm)和胶膜厚度均匀性(业界胶膜最好的均匀性是±5μm)的影响，导致刀高难以控制。

芯片切割刀高对芯片品质影响较大。 ①切割刀高的最佳条件为胶膜和Wafer底部的交界处；此时，刚好将晶片切开；②如果切割刀高加深大于2μm（刀片低端深入胶膜2μm以上），刀片切入胶膜内，切割产生出的晶片碎屑无法及时排除，芯粒边缘受碎屑挤压将导致背崩异常，如图1所示；③如果切割刀高升高≥2μm（刀片低端高出Wafer底部2μm以上）后将出现双胞异常（两颗芯粒未被切开），如图2。

发明内容

本发明的目的是提供一种改善晶片背崩的切割方法，在切割过程中，固定中止切割检查所述胶膜上的刀痕，并对应调整所述切割片的高度。

本发明实现上述目的的技术方案为：半导体晶片的切割方法，将晶片放置于胶膜上，采用切割刀对晶片的正面进行纵向和横向切割，形成芯粒，其中在切割过程中，通过固定频率检查胶膜上的切割刀痕并根据所述刀痕调整所述切割刀的高度，使胶膜上的刀痕呈虚线状态，以改善晶片崩裂现象。

优选的，在切割过程中，固定中止切割检查所述胶膜上的刀痕，当所述刀痕不是呈虚线状态，调整所述切割片的高度。

优选的，所述切割刀的低端距离所述晶片低部在-2μm~+2μm之间。

优选的，当所述刀痕呈实线状态，调高所述切割刀的高度。

优选的，当所述胶膜上无刀痕时，调低所述切割刀的高度。

优选的，所述固定频率为每切割50~200刀调整一次切割刀的高度。

优选的，所述半导体晶片为基于GaAs衬底的外延晶片。

优选的，所述切割刀为金刚石砂轮。

在一些实施例中，所述切割过程包括半切和切穿两个过程。较佳的，在切割过程中，先切穿再半切，循环作业。

在一些实施例中，在切割前，采用预切割板打磨切割刀片。较佳的，所述预切割板采用报废的GaAs衬底。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1~2为晶片切割实物图。其中，图1所示为切割刀片的高度过低，在切割过程中刀片低端深入胶膜中；图2所示所示为切割刀片的高度过高，未切穿所述晶片。

图3显示了切割刀的低端刚好处于胶膜和晶片底部的交界处时，在胶膜上形成的切割刀痕。