[发明专利]一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件有效

专利信息
申请号: 201610201212.5 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN105702585B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 杨丽娟;周如 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/34;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/417;H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 显示 及其 制作方法 器件
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管的制作方法,包括:

形成源漏金属层;

在所述源漏金属层上形成平坦层,所述平坦层由氮化硅或氧化硅制得;

对所述平坦层和源漏金属层进行构图工艺,形成源电极和漏电极;

对所述平坦层和源漏金属层进行构图工艺,形成源电极和漏电极的步骤包括:

在所述平坦层上形成厚度一致的光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法具体包括:

形成栅电极;

形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层;

在所述栅绝缘层上形成有源层;

在所述有源层上源漏金属层;

在所述源漏金属层上形成平坦层;

对所述平坦层和源漏金属层进行构图工艺,形成源电极和漏电极。

3.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括薄膜晶体管,其特征在于,所述制作方法包括:

采用权利要求1-2任一项所述的制作方法形成薄膜晶体管。

4.一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极,其特征在于,采用权利要求1-2任一项所述的制作方法制得,所述有源层包括位于所述源电极和漏电极之间的第一部分,所述第一部分从靠近源电极的一侧到靠近漏电极一侧的宽度一致。

5.一种显示基板,其特征在于,包括权利要求4所述的薄膜晶体管。

6.一种显示器件,其特征在于,包括权利要求5所述的显示基板。

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