[发明专利]一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件。所述制作方法在形成源电极和漏电极的构图工艺中，首先在源漏金属层上形成平坦层，提供平坦表面，然后在平坦层上形成光刻胶，从而光刻胶的厚度一致，曝光均匀，能够严格控制源电极和漏电极的线宽，即使源电极和漏电极之间的间隔距离较小，由于不存在光刻胶过度曝光的现象，因此也不容易出现短接的问题，适用于高分辨率的产品中，并保证产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)具有亮度好、对比度高、功耗低、体积小、重量轻等优点，得到越来越多地广泛应用。随着市场对分辨率的要求越来越高，为了兼顾高开口率和低功耗的性能，薄膜晶体管(TFT)的尺寸越来越小。对于薄膜晶体管制作工艺而言，沟道尺寸的微小化程度是整个薄膜晶体管性能的关键。其中，薄膜晶体管的沟道由有源层位于源电极和漏电极之间的部分形成。

参见图2所示，对于薄膜晶体管的沟道，在形成源电极1和漏电极2的制程中，希望源电极1和漏电极2之间的间隔距离(对应沟道的宽度)A一致。但是，结合图1a和1b所示，由于源电极1和漏电极2下面的膜层表面存在台阶，不平整，在形成源电极1和漏电极2的制程中，涂覆在源漏金属层10上的光刻胶20在跨越台阶时，厚度会有改变：台阶上的光刻胶厚度d比其他区域的厚度d＇小。当这个厚度差异较大时，在对光刻胶20进行曝光后，会使得台阶上的光刻胶20过度曝光，而台阶下的光刻胶20曝光不足。在对光刻胶20显影后，以光刻胶20为阻挡刻蚀形成的源电极1和漏电极2，其位于台阶下部分的线宽比位于台阶上部分的线宽要大，即，沟道位于台阶下部分的宽度比位于台阶上部分的宽度要小。在沟道尺寸比曝光机精度大、曝光机有足够的Margin的情况下，尽管源电极1和漏电极2位于台阶下部分的线宽较大，也不会发生短接现象。但是，对于高分辨率产品，沟道尺寸已经越来越接近曝光机极限，这就导致在源电极1和漏电极2的制程中经常会因为沟道宽度过小，发生短接不良，如图1a中线框B内所示。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示器件，用以解决源电极和漏电极形成在不平整表面上时，若两者间隔距离较小容易发生短接的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成平坦层；

对所述平坦层和源漏金属层进行构图工艺，形成源电极和漏电极。

本发明实施例中还提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括薄膜晶体管，所述制作方法包括：

采用如上所述的制作方法形成薄膜晶体管。

本发明实施例中还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，采用如上所述的制作方法制得，所述有源层包括位于所述源电极和漏电极之间的第一部分，所述第一部分从靠近源电极的一侧到靠近漏电极一侧的宽度一致。

本发明实施例中还提供一种显示基板，包括如上所述的薄膜晶体管。

本发明实施例中还提供一种显示器件，包括如上所述的显示基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，在形成源电极和漏电极的构图工艺中，首先在源漏金属层上形成平坦层，提供平坦表面，然后在平坦层上形成光刻胶，从而光刻胶的厚度一致，曝光均匀，能够严格控制源电极和漏电极的线宽，即使源电极和漏电极之间的间隔距离较小，由于不存在光刻胶过度曝光的现象，因此也不容易出现短接的问题，适用于高分辨率的产品中，并保证产品的良率。

附图说明