[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、 半导体层(30)、绝缘层(40)、及栅极金属层(50)；

步骤2、在所述栅极金属层(50)上涂覆一层光阻材料，采用一半透光罩 (90)对该层光阻材料进行图形化处理，得到呈“凸”字形的光阻层(60)， 该光阻层(60)包括位于中间的第一光阻段(61)与位于第一光阻段(61)两 侧的第二光阻段(62)，所述第一光阻段(61)的厚度大于第二光阻段(62) 的厚度；

步骤3、采用第一道蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)、绝缘层(40)上 未被光阻层(60)覆盖的部分；

采用第二道蚀刻工艺去除所述半导体层(30)上未被光阻层(60)覆盖的 部分，得到有源层(35)；

步骤4、对光阻层(60)进行灰化处理，薄化第一光阻段(61)并去除第 二光阻段(62)；

采用蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)与绝缘层(40)上未被光阻层(60) 覆盖的部分，形成栅极(55)与栅极绝缘层(45)；

以所述光阻层(60)、栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，对所述 有源层(35)进行处理，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极 绝缘层(45)覆盖的区域的导电性增强，形成源极接触区(31)、漏极接触区 (32)、以及位于所述源极接触区(31)与漏极接触区(32)之间的沟道区(33)；

步骤5、将剩余的光阻层(60)剥离去除，在所述栅极(55)、有源层(35)、 及缓冲层(20)上沉积层间介电层(70)，采用一道光罩对该层间介电层(70) 进行图形化处理，在所述层间介电层(70)上形成分别对应于所述源极接触区 (31)与漏极接触区(32)的第一通孔(71)与第二通孔(72)；

步骤6、在所述层间介电层(70)上沉积源漏极金属层(80)，采用一道光 罩对该源漏极金属层(80)进行图形化处理，得到源极(81)与漏极(82)， 所述源极(81)和漏极(82)分别通过第一通孔(71)和第二通孔(72)与所 述有源层(35)的源极接触区(31)和漏极接触区(32)相接触，从而制得一 TFT基板。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中， 所述第一光阻段(61)的厚度为1.5～3μm，所述第二光阻段(62)的厚度0.15～1 μm。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中， 所述光阻材料为正型光阻，所述半透光罩(90)上设有对应于第一光阻段(61) 的不透光区域(91)与对应于第二光阻段(62)的半透光区域(92)。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中， 所述半透光罩(55)为灰阶光罩或半色调光罩。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中， 所述第一道蚀刻工艺为干蚀刻工艺，所述第二道蚀刻工艺为湿蚀刻工艺；所述 步骤4中的蚀刻工艺为干蚀刻工艺。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中， 对所述半导体层(30)进行处理的方法为紫外光照射或等离子体处理。

7.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述等离子体 为氢气、氨气、或者氩气的等离子体。

8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中， 在所述基板(10)上沉积缓冲层(20)之前，需要将基板(10)清洗干净。

9.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中， 所述半导体层(30)的材料为非晶铟镓锌氧化物，所述半导体层(30)利用溅 射设备在室温下沉积得到。

10.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(10) 为玻璃基板；所述缓冲层(20)、层间介电层(70)为氧化硅层、氮化硅层、 或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层；所述栅极绝缘层(45)的材料 为氧化硅；所述栅极(55)、源极(81)、及漏极(82)的材料为钼、钛、铝、 铜中的一种或多种的堆栈组合。