[发明专利]TFT基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平 面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的 应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等 各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显 示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平 行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细 小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出 来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT， ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC， LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵 列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT 基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中， 前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell 制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱 动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZOTFT)由于电子迁移率高、漏电 流低、制备温度低等特点，引起了广泛的关注。传统的底栅结构的氧化物半 导体晶体管，由于栅极与源漏电极之间重叠面积较大，产生了较大的寄生电 容，会导致信号的延迟，且其制作出来的晶体管尺寸较大，因而限制了其应 用。顶栅自对准结构由于源漏电极之间与栅极之间没有重叠，因此具有更低 的寄生电容和更好的延展性。

如图1-7所示，为现有的顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管基板的制备 方法，包括如下步骤：

步骤1、如图1所示，提供一基板100，在所述基板100上沉积缓冲层200；

步骤2、如图2-3所示，在所述缓冲层200上沉积半导体层300，采用一道 光罩对半导体层300进行图形化处理，得到有源层350；

步骤3、如图4所示，在所述有源层350、及缓冲层200上依次沉积绝缘层 400、及栅极金属层500，在所述栅极金属层500上涂覆一层光阻材料，采用一 道光罩对该层光阻材料进行图形化处理，得到对应于有源层350的中间区域的 光阻层600；

步骤4、如图5所示，以所述光阻层600为阻挡层，对所述栅极金属层500 与绝缘层400进行蚀刻，形成栅极550与栅极绝缘层450；以所述光阻层600、栅 极550、及栅极绝缘层450为阻挡层，对所述有源层350进行处理，形成源极接 触区310、漏极接触区320、以及位于所述源极接触区310与漏极接触区320之间 的沟道区330；

步骤5、如图6所示，在所述栅极550、有源层350、及缓冲层200上沉积层 间介电层700，采用一道光罩对该层间介电层700进行图形化处理，在所述层间 介电层700上形成分别对应于所述源极接触区310与漏极接触区320的第一通孔 710与第二通孔720；

步骤6、如图7所示，在所述层间介电层700上沉积源漏极金属层，采用一 道光罩对该层源漏极金属层进行图形化处理，形成源极810与漏极820，所述源 极810和漏极820分别通过第一通孔710和第二通孔720与所述有源层350的源极 接触区310和漏极接触区320相接触，从而制得一顶栅自对准氧化物半导体薄膜 晶体管基板。

上述顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管基板的制备方法需要采用4道 光罩(mask)，制程时间长，制程复杂，且生产成本高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可节约光罩数量，工艺 简单，且制造成本低。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上依次沉积缓冲层、半导体层、绝缘层、 及栅极金属层；