[发明专利]半导体装置、显示模块及电子装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

电阻元件；

电容元件，所述电容元件包括：

第一导电层；

所述第一导电层上的第一绝缘层；

隔着所述第一绝缘层在所述第一导电层上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二绝缘层；和

隔着所述第二绝缘层在所述第一氧化物半导体层上的第二导电层，其中所述第一导电层隔着所述第一氧化物半导体层与所述第二导电层重叠；以及

包括晶体管的电路，

其中，所述晶体管包括作为沟道形成层的第二氧化物半导体层，且

其中，所述电阻元件的一个端子电连接到所述第一导电层和所述电路。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电层电连接到所述电路。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二绝缘层形成在所述晶体管上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管包括作为栅极绝缘层的所述第一绝缘层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层处于浮动状态。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层包括选自由铟、镓和锌构成的群组中的至少一个。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层由相同的材料制成。

8.一种包括权利要求1所述的半导体装置的显示模块，该显示模块包括柔性线路板。

9.一种包括权利要求1所述的半导体装置的电子装置，该电子装置包括扬声器、电池和操作键中的至少一个。

10.一种半导体装置，包括：

电阻元件；

电容元件，所述电容元件包括：

第一导电层；

所述第一导电层上的第一绝缘层；

隔着所述第一绝缘层在所述第一导电层上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二绝缘层；以及

隔着所述第二绝缘层在所述第一氧化物半导体层上的第二导电层，其中所述第一导电层隔着所述第一氧化物半导体层与所述第二导电层重叠；以及

包括晶体管的电路，

其中，所述晶体管包括作为沟道形成层的第二氧化物半导体层，

其中，所述电阻元件的一个端子电连接到所述第一导电层和所述电路，且

其中，所述第二导电层通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层开口的接触孔与所述第一导电层相接触。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电层电连接到所述电路。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层处于浮动状态。

13.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层包括选自由铟、镓和锌构成的群组中的至少一个。

14.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层由相同的材料制成。

15.一种包括权利要求10所述的半导体装置的显示模块，该显示模块包括柔性线路板。

16.一种包括权利要求10所述的半导体装置的电子装置，该电子装置包括扬声器、电池和操作键中的至少一个。