[发明专利]半导体装置、显示模块及电子装置有效
申请号: | 201610203389.9 | 申请日: | 2010-03-25 |
公开(公告)号: | CN105870127B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 鱼地秀贵;河江大辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1345 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 显示 模块 电子 | ||
1.一种半导体装置,包括:
电阻元件;
电容元件,所述电容元件包括:
第一导电层;
所述第一导电层上的第一绝缘层;
隔着所述第一绝缘层在所述第一导电层上的第一氧化物半导体层;
所述第一氧化物半导体层上的第二绝缘层;和
隔着所述第二绝缘层在所述第一氧化物半导体层上的第二导电层,其中所述第一导电层隔着所述第一氧化物半导体层与所述第二导电层重叠;以及
包括晶体管的电路,
其中,所述晶体管包括作为沟道形成层的第二氧化物半导体层,且
其中,所述电阻元件的一个端子电连接到所述第一导电层和所述电路。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一导电层电连接到所述电路。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第二绝缘层形成在所述晶体管上。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述晶体管包括作为栅极绝缘层的所述第一绝缘层。
5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一氧化物半导体层处于浮动状态。
6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一氧化物半导体层包括选自由铟、镓和锌构成的群组中的至少一个。
7.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层由相同的材料制成。
8.一种包括权利要求1所述的半导体装置的显示模块,该显示模块包括柔性线路板。
9.一种包括权利要求1所述的半导体装置的电子装置,该电子装置包括扬声器、电池和操作键中的至少一个。
10.一种半导体装置,包括:
电阻元件;
电容元件,所述电容元件包括:
第一导电层;
所述第一导电层上的第一绝缘层;
隔着所述第一绝缘层在所述第一导电层上的第一氧化物半导体层;
所述第一氧化物半导体层上的第二绝缘层;以及
隔着所述第二绝缘层在所述第一氧化物半导体层上的第二导电层,其中所述第一导电层隔着所述第一氧化物半导体层与所述第二导电层重叠;以及
包括晶体管的电路,
其中,所述晶体管包括作为沟道形成层的第二氧化物半导体层,
其中,所述电阻元件的一个端子电连接到所述第一导电层和所述电路,且
其中,所述第二导电层通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层开口的接触孔与所述第一导电层相接触。
11.如权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第一导电层电连接到所述电路。
12.如权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第一氧化物半导体层处于浮动状态。
13.如权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第一氧化物半导体层包括选自由铟、镓和锌构成的群组中的至少一个。
14.如权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层由相同的材料制成。
15.一种包括权利要求10所述的半导体装置的显示模块,该显示模块包括柔性线路板。
16.一种包括权利要求10所述的半导体装置的电子装置,该电子装置包括扬声器、电池和操作键中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的