[发明专利]半导体装置、显示模块及电子装置

说明书

本申请是申请日为“2010年3月25日”、申请号为“201010142780.5”、题为“半导体装置、显示装置及电子设备”的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。另外，本发明还涉及显示装置，并且涉及在显示部中具有显示装置的电子设备。

背景技术

金属氧化物的种类繁多且其用途广泛。例如氧化铟为较普遍的材料而被用作液晶显示器等中所需要的透明电极材料。

有的金属氧化物中呈现半导体特性。作为呈现半导体特性的金属氧化物，例如有氧化钨、氧化锡、氧化铟和氧化锌等，并且将这些呈现半导体特性的金属氧化物用作沟道形成区的薄膜晶体管(专利文献1至4、非专利文献1)已经是众所周知的。

另外，已知金属氧化物不仅有一元氧化物还有多元氧化物。例如，作为具有In、Ga及Zn的多元氧化物半导体，具有同系物(homologous series)的InGaO₃(ZnO)_m(m:自然数)是周知的(非专利文献2至4)。

并且，已经确认到可以将上述那样的由In-Ga-Zn类氧化物构成的氧化物半导体用于薄膜晶体管的沟道层(专利文献5、非专利文献5以及6)。

使用氧化物半导体形成沟道形成层的TFT获得比使用非晶硅的TFT更高的场效应迁移率。

被期待将使用这些氧化物半导体的TFT形成在玻璃衬底、塑料衬底上来应用于液晶显示器、电致发光显示器(也称为EL显示器)或电子纸等显示装置。

另一方面显示装置等的半导体装置有由于杂波导致不正常工作或显示装置内的电路被破坏的问题。

作为上述杂波例如有传导杂波和放射性杂波等，作为传导性杂波例如有高速突发波等，作为放射性杂波例如有静电放电等。

为了减少上述杂波所引起的不良影响，现在提供设置有避免杂波的各种保护单元的显示装置(专利文献6)。

[专利文献1]日本专利申请公开昭60-198861

[专利文献2]日本专利申请公开平8-264794

[专利文献3]PCT国际申请平11-505377的日文译文

[专利文献4]日本专利申请公开No.2000-150900

[专利文献5]日本专利申请公开No.2004-103957

[专利文献6]日本专利申请公开平11-150275

[非专利文献1]M.W.Prins,K.O.Grosse-Holz,G.Muller,J.F.M.Cillessen,J.B.Giesbers,R.P.Weening,and R.M.Wolf,"A ferroelectric transparent thin-film transistor"(透明铁电薄膜晶体管),Appl.Phys.Lett.,17June 1996,Vol.68p.3650-3652

[非专利文献2]M.Nakamura,N.Kimizuka,and T.Mohri,"The Phase Relations in the In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO System at 1350℃"(In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO类在1350℃时的相位关系),J.Solid State Chem.,1991,Vol.93,p.298-315