[发明专利]一种LTPS阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板的制造方法，所述LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层，其特征在于，所述制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化形成所述栅极层，且所获得的栅极层的宽度小于所述金属遮挡层的宽度，并且所述栅极层的垂直投影完全落入所述金属遮挡层范围内；并且，所述金属遮挡层的各图形之间串联。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：

步骤S10、提供一透明基板，在所述透明基板上沉积一金属层，图案化所述金属层，获得所述金属遮挡层；

步骤S20、在所述金属遮挡层上形成所述缓冲层；

步骤S30、在所述缓冲层上形成所述有源层；

步骤S40、在所述有源层上形成所述栅极绝缘层；以及，

步骤S50、在所述栅极绝缘层上沉积一栅极金属层，以所述金属遮挡层作为光罩，经两次背面曝光后形成所述栅极层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S50包括：

步骤S501、在所述栅极金属层上涂布一光阻层，以所述金属遮挡层作为光罩对所述光阻层进行两次背面曝光，形成图案化光阻层以及，

步骤S502、显影后进行干蚀刻制程以刻蚀出栅极图案形成所述栅极层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S501中，以入射角相等且关于法线对称的光线对所述光阻层进行两次背面曝光。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S30包括：

步骤S301、在所述缓冲层上沉积非晶硅，经准分子激光退火后形成多晶硅层，再进行光刻制程进行图案化获得所述有源层；

步骤S302、对所述有源层进行掺杂，使所述有源层具有沟道区、源极接触区及漏极接触区。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S501中形成的所述图案化光阻层的光阻的宽度小于所述沟道区的宽度。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少还包括：

步骤60、通过离子植入对所述有源层进行LDD轻掺杂。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述源极接触区及所述漏极接触区均为P型掺杂区，或者，所述源极接触区及所述漏极接触区均为N型掺杂区。

9.如权利要求1至7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述金属遮挡层选自金属钼；所述缓冲层选自SiNx或SiOx；所述栅极绝缘层选自SiNx或SiO₂。

10.如权利要求1至7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述栅极层选自透明栅极金属层或金属氧化物栅极层。