[发明专利]一种LTPS阵列基板的制造方法

说明书

本发明公开了一种LTPS阵列基板的制造方法，所述LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层。所述制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化所述栅极层，使所获得的栅极图案的宽度小于所述金属遮挡层的宽度，并且所述栅极图案的垂直投影完全落入所述金属遮挡层范围内。在本发明中，通过利用所述金属遮挡层作为光罩图案化所述栅极层，节省了栅极金属光罩的制作成本，从而节省了LTPS生产制作成本并简化了生产制程。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种LTPS阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着移动显示的日益普及，新一代移动显示技术向高画质、高分辨率、轻薄及低功耗发展。低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)技术以其优越的高画质、高分辨率、超轻薄及低功耗等性能备受广大消费者喜爱，LTPS技术正在逐渐取代传统a-Si薄膜晶体管技术，成为新一代显示技术主流。

请参见图1，图1所示的是一典型的LTPS阵列基板的结构示意图。如图1所示，现有技术中的LTPS阵列基板100主要包括：一基板101、一遮光层102、一缓冲层103、一多晶硅层104、一栅极绝缘层105、栅极106、源极/漏极107和一公共电极108。其中，所述多晶硅层104、栅极绝缘层105、栅极106和源极/漏极107构成薄膜晶体管。请参见图2，图2是传统CMOSLTPS阵列基板的结构示意图。如图2所示的，该阵列基板包括设置于基板101上的N型金属氧化半导体(NMOS，左侧)和P型金属氧化半导体(PMOS，右侧)；并且，如图3所示的，该阵列基板的各图形之间的所述遮光层102是相互断开的。

在上述LTPS阵列基板的制程中，首先需要沉积遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、金属栅极层等，需要在栅极绝缘层沉积后沉积一层金属栅极层膜层，并用光罩来定义栅极图形，制程复杂，生产成本高。

因此，需要提供一种新的LTPS阵列基板及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种LTPS阵列基板的制造方法，所述LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层。所述制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化所述栅极层，使所获得的栅极图案的宽度小于所述金属遮挡层的宽度，并且所述栅极图案的垂直投影完全落入所述金属遮挡层范围内。

在本发明一实施例中，所述制造方法至少包括：步骤S10、提供一透明基板，在所述透明基板上沉积一金属层，图案化所述金属层，获得所述金属遮挡层；

步骤S20、在所述金属遮挡层上形成所述缓冲层；步骤S30、在所述缓冲层上形成所述有源层；步骤S40、在所述有源层上形成所述栅极绝缘层；以及，步骤S50、在所述栅极绝缘层上沉积一栅极金属层，以所述金属遮挡层作为光罩，经两次背面曝光后形成所述栅极层。

在本发明一实施例中，所述步骤S50包括：步骤S501、在所述栅极层上涂布一光阻层，以所述金属遮挡层作为光罩对所述光阻层进行两次背面曝光，形成图案化光阻层；以及，步骤S502、显影后进行干蚀刻制程以刻蚀出栅极图案形成栅极层。

在本发明一实施例中，在所述步骤S501中，以入射角相等且关于法线对称的光线对所述光阻层进行两次背面曝光。

在本发明一实施例中，所述步骤S30包括：步骤S301、在所述缓冲层上沉积非晶硅，经准分子激光退火后形成多晶硅层，再进行光刻制程进行图案化获得所述有源层；步骤S302、对所述有源层进行掺杂，使所述有源层具有沟道区、源极接触区及漏极接触区。

在本发明一实施例中，所述步骤S501中形成的所述图案化光阻层的光阻的宽度小于所述沟道区的宽度。

在本发明一实施例中，所述制造方法至少还包括：步骤60、通过离子植入对所述有源层进行LDD轻掺杂。