[发明专利]测试结构及其测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；

阱区，位于所述基底内；

位于所述第一区域的第一测试结构，所述第一测试结构包括干个位于所述第一区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，位于所述第一区域两端的第一连接结构以及所述第一连接结构之间的第二连接结构，所述第一连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，所述第二连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同；

位于所述第二区域的第二测试结构，所述第二测试结构包括若干个位于所述第二区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，位于所述第二区域两端的第三连接结构以及所述第三连接结构之间的第四连接结构，所述第三连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，所述第四连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同；

位于所述第三区域的第三测试结构，所述第三测试结构包括若干个位于所述第三区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，以及位于所述第三区域两端的第五连接结构，所述第五连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一连接结构、第三连接结构和第五连接结构为相同结构。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的栅极结构的形成工艺、材料和尺寸相同，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的接触插塞的形成工艺、材料和尺寸相同，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的金属层的形成工艺、材料和尺寸相同。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的栅极结构的数量相等。

5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的栅极结构的数量为n个，n为等于或大于2的自然数。

6.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述掺杂区的数量为n+1个；所述第二连接结构的数量为n-1个；所述第四连接结构的数量为n-1个。

7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构为鳍式场效应管结构，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述栅极结构位于所述鳍部表面，所述掺杂区位于所述栅极结构两侧的鳍部内；

或者，所述测试结构为平面晶体管结构，所述基底为衬底，所述栅极结构位于所述衬底表面，所述掺杂区位于所述栅极结构两侧的衬底内。

8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括应力层，所述掺杂区形成于所述应力层内。

9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述掺杂区还包括位于所述栅极结构下方的重叠区域。