[发明专利]测试结构及其测试方法

说明书

一种测试结构及其测试方法，所述测试结构包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；第一区域的第一测试结构，包括若干个栅极结构，栅极结构两侧基底内的掺杂区，第一区域两端的第一连接结构和第一连接结构之间的第二连接结构，第一连接结构和第二连接结构均包括与掺杂区相连接的接触插塞以及与接触插塞相连接的金属层；第二区域的第二测试结构，包括第二区域两端的第三连接结构和第三连接结构之间的第四连接结构，与第一测试结构的区别仅在于第四连接结构包括与掺杂区相连接的接触插塞；第三区域的第三测试结构，与第二测试结构的区别仅在于第二测试结构具有第四连接结构。通过所述测试结构，可以精准地获取晶体管的寄生电容。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种测试结构及其测试方法。

背景技术

随着集成电路的集成化，以及半导体器件的微型化，晶体管的性能对于集成电路的影响越发显著。在影响晶体管性能的因素中，寄生电容会对由晶体管形成的半导体器件的工作效率产生影响。因此，需要对所述晶体管的寄生电容进行测试，从而尽量降低所述寄生电容的大小。

但是，现有技术对于晶体管寄生电容的测试方法复杂，且很难精准获取所述寄生电容值。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种测试结构及其测试方法，有效获取晶体管的寄生电容值。

为解决上述问题，本发明提供一种测试结构，包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；阱区，位于所述基底内；位于所述第一区域的第一测试结构，所述第一测试结构包括干个位于所述第一区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，位于所述第一区域两端的第一连接结构以及所述第一连接结构之间的第二连接结构，所述第一连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，所述第二连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同；位于所述第二区域的第二测试结构，所述第二测试结构包括若干个位于所述第二区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，位于所述第二区域两端的第三连接结构以及所述第三连接结构之间的第四连接结构，所述第三连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，所述第四连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同；位于所述第三区域的第三测试结构，所述第三测试结构包括若干个位于所述第三区域阱区表面的栅极结构，位于所述栅极结构两侧基底内的若干个作为源区或漏区的掺杂区，以及位于所述第三区域两端的第五连接结构，所述第五连接结构包括与所述掺杂区相连接的接触插塞以及与所述接触插塞相连接的金属层，其中，所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型相同。

可选的，所述第一连接结构、第三连接结构和第五连接结构为相同结构。

可选的，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的栅极结构的形成工艺、材料和尺寸相同，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的接触插塞的形成工艺、材料和尺寸相同，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的金属层的形成工艺、材料和尺寸相同。

可选的，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的栅极结构的数量相等。

可选的，所述第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构的栅极结构的数量为n个，n为等于或大于2的自然数。

可选的，所述掺杂区的数量为n+1个；所述第二连接结构的数量为n-1个；所述第四连接结构的数量为n-1个。

可选的，所述测试结构为鳍式场效应管结构，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述栅极结构位于所述鳍部表面，所述掺杂区位于所述栅极结构两侧的鳍部内；或者，所述测试结构为平面晶体管结构，所述基底为衬底，所述栅极结构位于所述衬底表面，所述掺杂区位于所述栅极结构两侧的衬底内。