[发明专利]稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法

权利要求书

1.一种稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

①装炉：将原料置于导模炉的坩埚中，安装导模、籽晶、温场，并密封炉膛通入保护性气氛气体,该保护性气氛气体为Ar+H₂或Ar+CO，所述温场的温度梯度为5～40℃/cm；

②熔料：加热升温将原料全部熔化形成熔体，并过热10～30℃，恒温0.5～2小时后，将熔体降温至原料全部熔化时的温度；

③生长：将籽晶缓慢摇下，与导模中的熔体液面接触成为一体，停留3～5min后开启提拉机构，升温使籽晶直径收细，逐渐降低导模表面温度进行放肩，当晶体覆盖整个导模表面时结束放肩，进行等径生长，待晶体生长至所需尺寸时，提拉晶体脱离熔体液面，完成生长，整个过程晶体提拉速率调节为1～50mm/h；

④冷却：晶体生长完毕后，对晶体降温冷却至室温，晶体降温冷却速率为20～200℃/h。

2.如权利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，其特征在于，所述晶体的化学式为(Ln_xRe_1-x)₂O₃，其中0<x<0.5,Ln＝Yb、Nd、Dy、Ho、Er、Tm或Pr，Re＝Y、Sc、Lu或Gd。

3.如权利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，其特征在于，所述步骤①中的导模和坩埚需为耐高温的钨、铼、钨铼合金或钨钼合金材料。

4.如权利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，其特征在于，所述步骤②中的加热方式为射频感应加热或电阻加热。

5.如权利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，其特征在于，所述步骤③中的籽晶方向为(Ln_xRe_1-x)₂O₃任意结晶学方向。