[发明专利]一种集成SIP系统封装架构

权利要求书

1.一种高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的封装结构包括第一基岛、第二基岛和 导热焊盘，所述的第一基岛和第二基岛相互平行，所述的导热焊盘设置于所述的第一基岛 和第二基岛下方，所述的第一基岛上隔离排布有三颗MOS管和MCU芯片，所述的第二基岛上 隔离排布有三颗MOS管，各个所述的MOS管与封装结构的外接头通过键合丝相连接。

2.根据权利要求1所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的封装结构还包括塑 封体，所述的第一基岛、第二基岛均设置于所述的塑封体内。

3.根据权利要求1所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的键合丝包括键合丝 基体和包裹于所述的键合丝基体外的键合丝镀层。

4.根据权利要求3所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的键合丝基体为铜丝 基体，所述的键合丝镀层为金镀层或铂镀层。

5.根据权利要求1所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的键合丝为直径28~35 μm的键合丝。

6.根据权利要求1所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的封装结构还包括两 个彼此平行设置的基岛支架，所述的第一基岛和第二基岛分别通过一基岛支架设置于所述 的导热焊盘上。

7.根据权利要求1所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的第一基岛、第二基岛 均为矩形，所述的导热焊盘为圆形或矩形，所述的封装结构的外接头排布于所述的导热焊 盘四周。

8.根据权利要求1所述的高密度SIP封装结构，其特征在于，所述的MOS管和MCU芯片分 别粘结于所述的第一基岛和第二基岛上。