[发明专利]一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法

权利要求书

1.一种分等级结构碳插层MoS₂@rGO的制备方法，其特征在于：将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo₃O₁₀( C₂H₁₀N₂ )分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L-半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得；氧化石墨烯、Mo₃O₁₀(C₂H₁₀N₂ )、L-半胱氨酸和葡萄糖的质量比为：10mg:0.125g:0.375g:0.2g；200℃水热反应15h。

2.根据权利要求1所述的分等级结构碳插层MoS₂@rGO的制备方法，其特征在于：所述的惰性气氛为：H₂和Ar的混合气，H₂所占体积分数为5%；所述的煅烧为800℃煅烧2h。

3.根据权利要求1所述的分等级结构碳插层MoS₂@rGO的制备方法，其特征在于：氧化石墨烯的制备方法为：在冰水浴下，将2 g鳞片石墨和1 g硝酸钠加入到60 ml浓硫酸中，搅拌10 min后，缓慢加入6 g高锰酸钾，控制水温不超过5℃，高锰酸钾添加完毕后；将温度升高到35℃，水浴两小时，然后缓慢加入90 ml去离子水，搅拌10 min后；继续添加280 ml去离子水，然后加入30 ml质量分数为30 %的H₂O₂，依次用质量分数5 %的HCl和去离子水反复洗涤后透析一星期即得到氧化石墨烯。