[发明专利]偏振可控纳米光源及其显微系统、光子芯片系统

权利要求书

1.一种偏振可控纳米光源，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上的单层石墨烯；

分别设置在石墨烯边缘和基底上的第一电极和第二电极；

放置在单层石墨烯上的半导体纳米带；

引入激发光照射所述半导体纳米带一端的光纤，并在所述半导体纳米带另一端输出光信号；

以及用于改变第一电极和第二电极间施加电压以调控输出光偏振的外加信号源。

2.如权利要求1所述的偏振可控纳米光源，其特征在于，所述的半导体纳米带采用II-VI族半导体材料，厚度为80nm到120nm。

3.如权利要求1所述的偏振可控纳米光源，其特征在于，两个电极的材料为铂、金、银、铜、铝、钛、镍、钴或钯。

4.如权利要求1所述的偏振可控纳米光源，其特征在于，所述的基底为沉积有氧化硅层或氮化硅层的硅材料。

5.一种具有如权利要求1～4任一项所述偏振可控纳米光源的显微系统，其特征在于，还包括：

激光器，发出耦合入所述光纤的激发光；

显微物镜，用于对所述的输出光进行收集；

滤光片，用于滤掉收集到的部分激发光；

和位于滤光片出射光路上的检偏器和用于偏振状态检测的光探测装置。

6.一种具有如权利要求1～4任一项所述偏振可控纳米光源的光子芯片系统，其特征在于，还包括：

波导耦合光栅或者波导耦合器，位于所述半导体纳米带的端部并用于传输所述的输出光；

无源光子器件，用于接纳所述波导耦合光栅或者波导耦合器传输的输出光。