[发明专利]偏振可控纳米光源及其显微系统、光子芯片系统

说明书

技术领域

本发明涉及微纳光学和集成光学领域，尤其是涉及一种偏振可控纳米光源及其显微系统、光子芯片系统。

背景技术

随着微电子技术的发展逐步达到其物理极限，光子技术成为信息科技的新突破点。光子器件的小型化和集成化是目前该领域的重要发展方向。无源光子器件的小型化相对成熟，而有源器件尤其是光源的小型化与集成化是主要难题，这也成为国际研究的热点的问题。半导体纳米带/线是一种十分理想的纳米光源，在片上光通信、超分辨显微、高灵敏传感及高分率显示等方面有重要应用。虽然，半导体纳米带/线光源已经在国际上被成功实现，但它与实际应用还有很大距离，主要制约因素是这些纳米光源的发光特性难以调控如偏振、波长、模式、强度等。

石墨烯作为一种新型二维材料，可以与传统集成电路工艺兼容，且易于小型化。更重要的是，石墨烯独特的物理性质使其可以支持特定的偏振光进行传输，为实现偏振控制提供了新方法。目前，已有采用石墨烯实现偏振控制的专利及研究报道，但这些方法都是将石墨烯与波导结构结合，改变波导中传输光的偏振状态。而没能实现对光源发光偏振的直接调控。同时，这些已有的石墨烯波导偏振控制器件都是针对近红外光(波长大于1000nm)的，还没有用于可见光的偏振控制器件，而这些器件在显示、成像、传感等领域有重要应用。若能使用石墨烯实现对可见光光源发光偏振的直接调控将有助于参数可调纳米光源的实现及其小型化、集成化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用石墨烯直接调控可见光的偏振可控纳米光源，利用外加电信号调节石墨烯费米能级，改变石墨烯对TE/TM偏振光的支持状态，最终实现纳米光源的发光偏振可以在TE/TM两种状态间切换。

本发明的具体技术方案如下：

一种偏振可控纳米光源，包括基底和位于基底上的单层石墨烯；分别设置在石墨烯边缘和基底上的第一电极和第二电极；放置在单层石墨烯上的半导体纳米带；引入激发光照射所述半导体纳米带一端的光纤，并在所述半导体纳米带另一端输出光信号；以及用于改变第一电极和第二电极间施加电压以调控输出光偏振的外加信号源。

本发明中，采用剥离法制备单层石墨烯材料，并转移到基底上；在石墨烯边缘和基底上分别沉积电极；通过化学气相沉积(CVD)法制备半导体纳米带，采用微纳操作将单根纳米带转移到上述基底，并放置在单层石墨烯上；使用光纤将外部激发光照射在半导体纳米带一端；半导体纳米带另一端的发光作为偏振光使用。

另外，在本发明的偏振可控纳米光源中，由于半导体纳米带自身带状结构特点，使其本征发光多呈现不同偏振状态。当系统未施加电压或电压未达到一定强度时，石墨烯费米能级处于狄拉克点附近，仅支持TE偏振光的传输，TM偏振光被大量衰减，此时纳米带光源发光呈现TE偏振；当在两电极间施加一定电压时，石墨烯的费米能级被改变，仅支持TM偏振光的传输，TE偏振光被大量衰减，此时纳米带光源发光呈现TM偏振。因此，可以通过改变施加电压的大小实现偏振可控的纳米光源。

其中，所述的半导体纳米带材料为II-VI族半导体材料，厚度为80nm到120nm，发光波长在可见光波段。

本发明中，所述激发光的光源可以为355nm、405nm、532nm等连续或脉冲激光器。

所述的电极为铂、金、银、铜、铝、钛、镍、钴、钯等导电材料。

所述的基底为硅材料上沉积氧化硅层或氮化硅层。

进一步的，本发明所述偏振可控纳米光源可以基于显微镜系统使用，也可以基于集成光子芯片使用，具体包括：

一种具有上述偏振可控纳米光源的显微系统，结合所述的偏振可控纳米光源，还包括：

激光器，发出耦合入所述光纤的激发光；

显微物镜，用于对所述的输出光进行收集；

滤光片，用于滤掉收集到的部分激发光。

在本发明的显微系统中，通过显微物镜收集纳米带的输出光。

其中，所述的显微系统还包括位于滤光片出射光路上的检偏器和用于偏振状态检测的光探测装置，其中光探测装置可以是光谱仪、光功率计或光探测器等。

一种具有上述偏振可控纳米光源的光子芯片系统，结合所述的偏振可控纳米光源，还包括：波导耦合光栅或者波导耦合器，位于所述半导体纳米带的端部并用于传输所述的输出光；无源光子器件，用于接纳所述波导耦合光栅或者波导耦合器传输的输出光。

在本发明中的集成光子芯片系统中，通过波导耦合光栅或波导倏逝场耦合等方式将半导体纳米带输出光引入光子器件中。