[发明专利]倒置白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、红绿蓝混合量子点发光层、能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极；

所述红绿蓝混合量子点发光层的材料为红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点形成的混合物；

所述能量传递层包括层叠的绿光能量传递层和蓝光能量传递层，所述绿光能量传递层的材料为绿光有机发光材料，所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料，所述绿光能量传递层和所述蓝光能量传递层的厚度比为1～2：1.5～3.5，所述能量传递层的厚度为0.3nm～3nm；

所述绿光能量传递层的厚度为0.2nm～1nm，所述蓝光能量传递层的厚度为0.3nm～1.5nm。

2.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述红绿蓝混合量子点发光层的材料为质量比为1～1.5：2～3.5：3～5.8的红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点形成的混合物，所述红绿蓝混合量子点发光层的厚度为20nm～30nm。

3.根据权利要求1或2所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，所述蓝光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点或核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点的粒径为3nm～6nm，所述核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点的粒径为8nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”为ZnS包覆ZnCdS。

4.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述绿光能量传递层与所述红绿蓝混合量子点发光层直接接触；

所述绿光有机发光材料选自三(8-羟基喹啉)铝、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素和三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种；

所述蓝光有机发光材料选自氨基取代联苯乙烯衍生物、四溴苯酚酞乙酯钾盐、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为ITO、FTO、AZO或IZO，所述阴极的厚度为80nm～200nm。

6.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料选自氧化锌和二氧化钛中的至少一种，所述电子传输层的厚度为30nm～50nm。

7.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自4,4'-双(9-咔唑-9-基)联苯、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺和2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为30nm～40nm。

8.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨、氧化钒和钛菁铜中的至少一种，所述空穴注入层的厚度为20nm～30nm。

9.根据权利要求1所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材料为铝、银、金或铂，所述阳极的厚度为80nm～150nm。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的倒置白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底并对所述基底进行清洗；

在清洗干净的所述基底上形成阴极；

在所述阴极上通过溶液旋涂法依次形成电子传输层和红绿蓝混合量子点发光层，其中，所述红绿蓝混合量子点发光层的材料为红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点形成的混合物；以及

在所述红绿蓝混合量子点发光层上通过真空蒸镀法依次形成能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极，其中，所述能量传递层包括层叠的绿光能量传递层和蓝光能量传递层，所述绿光能量传递层的材料为绿光有机发光材料，所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料，所述绿光能量传递层和所述蓝光能量传递层的厚度比为1～2：1.5～3.5，所述能量传递层的厚度为0.3nm～3nm。