[发明专利]倒置白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜电致发光器件领域，特别是涉及一种倒置白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点(quantumdots，QDs)是由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。量子点一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由ⅡB～ⅥA或ⅢA～ⅤA元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。量子点是在纳米尺度上的原子和分子的集合体，既可由一种半导体材料组成，如由IIB.VIA 族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)或IIIA.VA族元素(如InP、InAs等)组成，也可以由两种或两种以上的半导体材料组成。作为一种新颖的半导体纳米材料，量子点具有许多独特的纳米性质，并且可以应用作为薄膜电致发光器件的发光层。

然而，由于薄膜电致发光器件常用的透明阳极功函数不到5eV，其与绿光 QDs、蓝光QDs的HOMO能级(～6.5eV、～6.8eV)相差较远，导致空穴电子注入不平衡，从而使薄膜电致发光器件效率降低。在红、蓝、绿三色混合发光层结构的白光量子点电致发光器件(QLEDs)中，蓝光QDs、绿光QDs发光激子较难形成，造成白光QLEDs器件光谱中蓝光、绿光成份相对红光成份较弱，造成传统白光量子点电致发光器件的发光光谱较差。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光光谱较佳的倒置白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法。

一种倒置白光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、红绿蓝混合量子点发光层、能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极；

所述红绿蓝混合量子点发光层的材料为红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点形成的混合物；

所述能量传递层包括层叠的绿光能量传递层和蓝光能量传递层，所述绿光能量传递层的材料为绿光有机发光材料，所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料，所述绿光能量传递层和所述蓝光能量传递层的厚度比为1～2： 1.5～3.5，所述能量传递层的厚度为0.3nm～3nm。

在一个实施例中，所述红绿蓝混合量子点发光层的材料为质量比为1～1.5： 2～3.5：3～5.8的红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点形成的混合物，所述红绿蓝混合量子点发光层的厚度为20nm～30nm。

在一个实施例中，所述红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为 10nm～15nm，所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，所述蓝光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点或核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点的粒径为3nm～6nm，所述核壳结构的ZnCdS@ZnS 蓝光量子点的粒径为8nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”为ZnS包覆ZnCdS。

在一个实施例中，所述绿光能量传递层与所述红绿蓝混合量子点发光层直接接触；

所述绿光有机发光材料选自三(8-羟基喹啉)铝、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基 -1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素和三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述绿光能量传递层的厚度为0.2nm～1nm；

所述蓝光有机发光材料选自氨基取代联苯乙烯衍生物、四溴苯酚酞乙酯钾盐、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的至少一种，所述蓝光能量传递层的厚度为0.3nm～1.5nm。

在一个实施例中，所述阴极的材料为ITO、FTO、AZO或IZO，所述阴极的厚度为80nm～200nm。

在一个实施例中，所述电子传输层的材料选自氧化锌和二氧化钛中的至少一种，所述电子传输层的厚度为30nm～50nm。

在一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自4,4'-双(9-咔唑-9-基)联苯、 N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺和2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为30nm～40nm。