[发明专利]机台控制方法和机台控制系统有效
申请号: | 201610213591.X | 申请日: | 2016-04-07 |
公开(公告)号: | CN107275248B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 阮炯明;张冬平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机台 控制 方法 控制系统 | ||
1.一种机台控制方法,所述机台包括至少两个腔室,其特征在于,包括:
获取第一晶圆和第二晶圆;
根据所述第一晶圆和所述第二晶圆获得第一制程和第二制程,所述机台对所述第一晶圆进行第一制程,对所述第二晶圆进行第二制程,所述第一制程和所述第二制程在不同的腔室内执行;
根据所述第一制程和所述第二制程,获得执行第一制程的腔室数量为第一腔室数量和执行第二制程的腔室数量为第二腔室数量,以及执行第一制程的时间为第一时间和执行第二制程的时间为第二时间;
根据所述第一时间和所述第二时间,结合所述第一腔室数量和所述第二腔室数量,获得配置比例;
根据所述配置比例,设定第一产量和第二产量的比值,使所述第一产量和第二产量的比值与所述配置比例相等。
2.如权利要求1所述的机台控制方法,其特征在于,获得配置比例的步骤包括:
根据所述第一时间和所述第二时间,获得执行所述第一制程的第一速率和执行所述第二制程的第二速率的比值;
根据所述第一速率和所述第二速率的比值,结合所述第一腔室数量和所述第二腔室数量,获得所述配置比例。
3.如权利要求2所述的机台控制方法,其特征在于,获得所述第一速率和所述第二速率比值的步骤之后,获得所述配置比例的步骤之前,所述机台控制方法还包括:对所述第一速率和所述第二速率比值进行取整处理。
4.如权利要求1所述的机台控制方法,其特征在于,获得所述第一制程和所述第二制程的步骤中,根据所述第一晶圆和所述第二晶圆,查询预先存储的制程信息数据,获得所述第一制程和所述第二制程。
5.如权利要求1所述的机台控制方法,其特征在于,获得所述第一腔室数量和所述第二腔室数量以及所述第一时间和所述第二时间的步骤包括:
根据所述第一制程和所述第二制程,查询预先存储的腔室分配方案库,获得所述第一腔室数量和所述第二腔室数量;
根据所述第一制程和所述第二制程,查询预先存储的制程时间库,获得所述第一时间和所述第二时间。
6.如权利要求1所述的机台控制方法,其特征在于,获得所述第一制程和所述第二制程之后,获得所述第一腔室数量和所述第二腔室数量以及所述第一时间和所述第二时间之前,所述机台控制方法还包括:
根据所述第一制程或所述第二制程,结合预先存储的合法制程数据,判断所述第一制程或所述第二制程与所述机台是否对应;
在所述第一制程或所述第二制程与所述机台对应时,结合预先存储的机台工艺能力限制,判断所述机台是否执行所述第一制程或所述第二制程;
在所述机台执行第一制程或所第二制程时,设定第一暖机时间和第二暖机时间。
7.如权利要求1所述的机台控制方法,其特征在于,所述机台包括干法刻蚀机台、化学气相沉积机台或物理气相沉积机台。
8.一种机台控制系统,所述机台包括至少两个腔室,其特征在于,包括:
获取模块,用于获取第一晶圆和第二晶圆;所述获取模块还用于根据所述第一晶圆和所述第二晶圆获得第一制程和第二制程;所述机台对所述第一晶圆进行第一制程,对所述第二晶圆进行第二制程,所述第一制程和所述第二制程在不同的腔室内执行;
配置模块,与所述获取模块相连,用于根据所述第一制程和所述第二制程,获得执行第一制程的腔室数量为第一腔室数量和执行第二制程的腔室数量为第二腔室数量,以及执行第一制程的时间为第一时间和执行第二制程的时间为第二时间;所述配置模块还用于根据所述第一时间和所述第二时间,结合所述第一腔室数量和所述第二腔室数量,获得配置比例;
控制模块,与所述配置模块相连,用于根据所述配置比例,设定第一产量和第二产量的比值,使所述第一产量和所述第二产量的比值与所述配置比例相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造