[发明专利]机台控制方法和机台控制系统

说明书

一种机台控制方法和机台控制系统，机台控制方法包括：获取第一晶圆和第二晶圆；根据第一晶圆和第二晶圆获得第一制程和第二制程；根据第一制程和第二制程，获得第一腔室数量和第二腔室数量，以及第一时间和为第二时间；根据第一时间和第二时间，结合第一腔室数量和第二腔室数量，获得配置比例；根据配置比例，设定第一产量和第二产量的比值。本发明技术方案根据第一时间和第二时间获得的配置比例，能够缩短腔室的空闲时间，从而提高腔室的利用率，增加机台产量。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种机台控制方法和机台控制系统。

背景技术

半导体制造，是一种集成光刻、刻蚀、沉积、离子注入等多种工艺，在衬底上形成各种器件，并将其相互连接以具有完成电子功能的产品制造过程。半导体制造过程中的各种工艺往往是通过各种复杂的机台进行的。

现有技术中半导体工艺机台类型繁多，工艺机台往往包含有多个可以独立执行半导体制程的腔室，但是均仅有两个标准机械接口(Standard Mechanical Interface,SMIF)以传输晶圆。

如何调配两个标准机械接口传输晶圆，提高腔室利用率，增加机台产量是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种机台控制方法和机台控制系统，提高腔室利用率，增加机台产量。

为解决上述问题，本发明提供一种机台控制方法，所述机台包括至少两个腔室，包括：获取第一晶圆和第二晶圆；根据所述第一晶圆和所述第二晶圆获得第一制程和第二制程，所述机台对所述第一晶圆进行第一制程，对所述第二晶圆进行第二制程，所述第一制程和所述第二制程在不同的腔室内执行；根据所述第一制程和所述第二制程，获得执行第一制程的腔室数量为第一腔室数量和执行第二制程的腔室数量为第二腔室数量，以及执行第一制程的时间为第一时间和执行第二制程的时间为第二时间；根据所述第一时间和所述第二时间，结合所述第一腔室数量和所述第二腔室数量，获得配置比例；根据所述配置比例，设定第一产量和第二产量的比值，使所述第一产量和第二产量的比值与所述配置比例相等。

可选的，获得配置比例的步骤包括：根据所述第一时间和所述第二时间，获得执行所述第一制程的第一速率和执行所述第二制程的第二速率的比值；根据所述第一速率和所述第二速率的比值，结合所述第一腔室数量和所述第二腔室数量，获得所述配置比例。

可选的，获得所述第一速率和所述第二速率比值的步骤之后，获得所述配置比例的步骤之前，所述机台控制方法还包括：对所述第一速率和所述第二速率比值进行取整处理。

可选的，获得所述第一制程和所述第二制程的步骤中，根据所述第一晶圆和所述第二晶圆，查询预先存储的制程信息数据，获得所述第一制程和所述第二制程。

可选的，获得所述第一腔室数量和所述第二腔室数量以及所述第一时间和所述第二时间的步骤包括：根据所述第一制程和所述第二制程，查询预先存储的腔室分配方案库，获得所述第一腔室数量和所述第二腔室数量；根据所述第一制程和所述第二制程，查询预先存储的制程时间库，获得所述第一时间和所述第二时间。

可选的，获得所述第一制程和所述第二制程之后，获得所述第一腔室数量和所述第二腔室数量以及所述第一时间和所述第二时间之前，所述机台控制方法还包括：根据所述第一制程或所述第二制程，结合预先存储的合法制程数据，判断所述第一制程或所述第二制程与所述机台是否对应；在所述第一制程或所述第二制程与所述机台对应时，结合预先存储的机台工艺能力限制，判断所述机台是否执行所述第一制程或所述第二制程；在所述机台执行第一制程或所第二制程时，设定第一暖机时间和第二暖机时间。

可选的，所述机台包括干法刻蚀机台、化学气相沉积机台或物理气相沉积机台。