[发明专利]传感器集成电路的制造方法及使用该方法制造的集成电路

权利要求书

1.一种传感器集成电路的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路，在所述第一衬底硅片上制造与所述温湿度传感器集成电路连接的金属铝布线；

步骤2，在第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器；

步骤3，连接所述红外光和可见光亮度传感器与所述温湿度传感器集成电路；

步骤4，封装；

所述步骤2包括：

步骤2.1，在所述第二衬底硅片内通过离子注入和高温扩散的方法制造第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管及第五二极管；

步骤2.2，在所述第二衬底硅片的表面通过等离子体增强化学气相沉积法淀积第一电隔离层；

步骤2.3，在所述第一电隔离层上通过光刻和干法刻蚀方法刻出第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一电隔离层；

步骤2.4，在所述第一接触孔内通过化学气相沉积法沉积金属钨，所述金属钨与所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管及所述第五二极管连接；

步骤2.5，在所述第一电隔离层上通过物理气相沉积法溅射金属铝连线，所述金属铝连线与所述金属钨连接；

步骤2.6，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置红光过滤薄膜，所述红光过滤薄膜的位置与所述第三二极管对应；

步骤2.7，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置黄光过滤薄膜，所述黄光过滤薄膜的位置与所述第二二极管对应；

步骤2.8，在所述第一电隔离层上通过涂布和光刻的方法设置蓝光过滤薄膜，所述蓝光过滤薄膜的位置与所述第一二极管对应；

步骤2.9，在所述第一电隔离层上通过等离子体增强化学气相沉积法淀积第二电隔离层，所述第二电隔离层包裹所述金属铝连线、所述红光过滤薄膜、所述黄光过滤薄膜及所述蓝光过滤薄膜；

步骤2.10，在所述第二电隔离层上通过物理气相沉积法溅射和光刻的方法设置红外光吸收薄膜，所述红外光吸收薄膜的位置与所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管及所述第四二极管对应；

步骤2.11，在所述第二电隔离层上淀积介质层，所述介质层包裹所述红外光吸收薄膜；

所述步骤3包括：

步骤3.1，在所述第二衬底硅片上设置第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述介质层和所述第二电隔离层；

步骤3.2，通过金属铜连线连接所述金属铝布线及所述金属铝连线。

2.根据权利要求1所述的传感器集成电路的制造方法，其特征在于，所述第一电隔离层及所述第二电隔离层的厚度为1微米。

3.根据权利要求1或2所述的传感器集成电路的制造方法，其特征在于，所述第一电隔离层及所述第二电隔离层的材质为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的传感器集成电路的制造方法，其特征在于，所述红光过滤薄膜的厚度为0.5微米～1.0微米，所述红光过滤薄膜允许光谱波长为610纳米～760纳米的红光通过；

所述黄光过滤薄膜的厚度为0.5微米～1.0微米，所述黄光过滤薄膜允许光谱波长为490纳米～570纳米的黄光通过；

所述蓝光过滤薄膜的厚度为0.5微米～1.0微米，所述蓝光过滤薄膜允许光谱波长为450纳米～480纳米的蓝光通过。

5.根据权利要求1所述的传感器集成电路的制造方法，其特征在于，所述红外光吸收薄膜吸收波长为760纳米～30000纳米的红外光频谱的光束。

6.根据权利要求1所述的传感器集成电路的制造方法，其特征在于，所述介质层的厚度为1.0微米。

7.根据权利要求1或2所述的传感器集成电路的制造方法，其特征在于，所述第二衬底硅片的厚度为100微米。

8.集成电路，其特征在于，所述集成电路采用权利要求1至7任意一项所述的传感器集成电路的制造方法制造。