[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。其中，该阵列基板制作方法包括：在衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的由相互贯通的第一部分和第二部分构成的过孔结构，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分远离所述衬底基板，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内；形成取向层。通过本发明，可以在阵列基板上形成厚度更加均匀的配向膜，从而可以避免显示不良现象的产生，达到了提高阵列基板的产品良率的效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着液晶显示产品的高分辨率发展要求，阵列基板上的像素密度越来越高，这给阵列基板上的PI(Polyimide，配向膜)涂覆工艺带来很大挑战。目前，配向膜涂覆工艺中通常采用配向膜喷墨打印技术，但是随着阵列基板上的像素密度的不断提高，产生配向膜扩散不良的几率越来越大，导致阵列基板上的配向膜涂覆容易产生Mura(显示不良)现象。

例如，在ADS(Advanced super Dimension Switch，高级超维场转换技术)显示产品上，阵列基板的PVX层为整面涂覆，然后在需要设置过孔的地方使用曝光刻蚀的方式进行打孔，使得上下金属层之间能够借助过孔通电导通，但是在成盒工艺中涂覆配向膜液体时，由于阵列基板上的过孔本身所具有的表面张力作用，其对配向膜液体的扩散造成阻碍，导致配向膜液体扩散速度不均匀，最终形成在过孔周边的配向膜厚度大于形成在显示区的配向膜厚度，厚度差可能达到容易形成显示不良。为便于理解，请参考图1(图1是根据现有技术的配向膜液体扩散示意图)，图1中，黑色箭头表示配向膜液体的扩散方向，当对配向膜液体进行加热固化时，过孔周边处的配向膜液体与显示区的配向膜液体的固化速度会产生不同，而最终产生Mura现象。

然而针对上述缺陷，现有技术中并没有提供一种有效的解决方案。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种可以避免形成阵列基板的配向膜过程中由于过孔的表面张力作用导致配向膜液体扩散不均，最终造成形成配向膜的厚度不均的技术方案。

为了达到上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的钝化层和取向层，所述钝化层具有贯穿所述钝化层的过孔结构，所述过孔结构包括：相互贯通的第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分靠近所述取向层，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内。

优选地，所述第一部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形或圆形。

优选地，所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形。

优选地，所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为圆形。

优选地，所述第二部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为倒等腰梯形。

优选地，所述第二部分的圆形开口的直径范围为10um～14um。

优选地，所述第二部分的高度范围为

根据本发明的另一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：上述阵列基板。

根据本发明的又一个方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的由相互贯通的第一部分和第二部分构成的过孔结构，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分远离所述衬底基板，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内；形成取向层。

优选地，形成所述过孔结构的过程包括：采用半曝光工艺，通过一次构图工艺同时形成所述第一部分和所述第二部分。