[发明专利]光电子半导体器件

权利要求书

1.一种光电子半导体器件（100），包括：

-载体（1），所述载体具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）；

-至少一个布置在上侧（11）处的具有辐射出射面（6）的发射辐射的半导体部件（2），在该半导体部件（2）运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件（2），

-吸收辐射的层（3），所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件（100）上的环境光，使得该器件（100）的背离载体（1）的外面（101）至少局部地显现为黑色，和

-布置在载体（1）的至少一个连接部位（13）上方的至少一个层开口（32），所述至少一个层开口完全穿过吸收辐射的层（3）并且从吸收辐射的层（3）的背离载体（1）的上侧（31）朝着载体（1）的下侧（12）的方向延伸，

其中

-吸收辐射的层（3）在横向方向（L）上完全包围发射辐射的半导体部件（2）并且至少局部地与发射辐射的半导体部件（2）的侧面（23）直接接触，

-辐射出射面（6）无吸收辐射的层（3），

-层开口（32）在横向方向（L）上与半导体部件（2）有间隔地布置，

-在层开口（32）中至少局部地布置导电材料（7），

-导电材料（7）至少局部地布置在器件（100）的背离载体（1）的外面（101）上，

-导电材料（7）将连接部位（13）与半导体部件（2）导电地连接，以及

-导电材料（7）是辐射可穿透的。

2.根据前述权利要求所述的光电子半导体器件（100），其中该半导体器件的外面（101）至少局部地通过吸收辐射的层（3）的外面（31）构成。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中吸收辐射的层（3）是浇注件，所述浇注件至少局部地形状配合地包裹半导体部件（2）的侧面（23）。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中吸收辐射的层（3）在垂直方向（V）上不超出半导体部件（2）。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中在垂直方向（V）上在载体（1）和吸收辐射的层（3）之间布置反射辐射的层（5），所述反射辐射的层局部地覆盖半导体部件（2）的侧面。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中总共由半导体部件（2）发射的电磁辐射的至少20%通过侧面（23）从半导体部件（2）射出并且至少部分地通过反射辐射的层（5）反射。

7.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中至少局部地将辐射可穿透的层（4）施加到吸收辐射的层（3）的背离载体（1）的外面（31）上和/或辐射出射面（6）上。

8.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中借助于贯通接触部（15）利用在载体（1）的与上侧（11）相对的下侧（12）处的接触面（14A，14B）建立在连接部位（13）与载体（1）的上侧处的另外的连接部位（2A）之间的至少一个导电连接。

9.根据权利要求7所述的光电子半导体器件（100），其中层开口（32）附加地完全穿过反射辐射的层（5）和/或辐射可穿透的层（4）。

10.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），具有至少两个在载体（1）的上侧（11）处在横向方向（L）上并排布置的发射辐射的半导体部件（2），其中至少两个所述发射辐射的半导体部件（2）发射不同颜色的光。

11.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中半导体部件（2）的接合线接触部（9）至少部分地由吸收辐射的层（3）覆盖。

12.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），具有至少一个布置在载体（1）的上侧（11）处并且完全被吸收辐射的层（3）覆盖的电子部件（20）。

13.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件（100），其中导电材料（7）局部地直接邻接吸收辐射的层（3）。