[发明专利]光电子半导体器件

说明书

本申请是申请号为201180056021.X、申请日为2011年9月21日的同名称申请的分案申请。

技术领域

说明一种光电子半导体器件。

背景技术

专利文献DE102008021402A1公开了一种可表面安装的发光二极管模块，其具有载体衬底，在所述载体衬底上布置有至少三个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片分别具有用于产生电磁辐射的有源层。载体衬底具有至少三个第一和三个第二电连接面。发光二极管芯片分别具有第一接触层，所述第一接触层分别与第一连接面以导电的方式相连接。发光二极管芯片分别具有第二接触层，所述第二接触层分别与第二连接面以导电的方式相连接。第一发光二极管芯片发出红光光谱范围中的辐射，第二发光二极管芯片发出绿光光谱范围中的辐射，并且第三发光二极管芯片发出蓝光光谱范围中的辐射。发光二极管芯片每个都不具有生长衬底。另外，该对比文件还公开了一种用于制造可表面安装的发光二极管模块的方法。

发明内容

要解决的任务在于，说明一种显现为黑色的光电子半导体器件。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，该光电子半导体器件包括载体，所述载体具有上侧和与上侧相对的下侧。该载体可以是印刷电路板或金属载体框(引线框)。同样可以设想，该载体是柔性的并且例如构造为薄膜。该载体可以利用例如金属的导电材料和/或例如热固性和/或热塑性材料和/或陶瓷材料的电绝缘材料构成。

在上侧和下侧处分别构造通过载体的外面的一部分构成的面。下侧处的面是载体外面的在载体的安装状态下朝向接触载体(例如印刷电路板)的部分。例如，载体下侧处的面是可以用于安装光电子半导体器件的安装面。

根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少一个布置在上侧处的发射辐射的半导体部件，其具有辐射出射面，其中在该半导体部件运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件。发射辐射的半导体部件可以是发射辐射的半导体芯片。例如，半导体芯片是荧光二极管芯片。荧光二极管芯片可以是发光二极管芯片或激光二极管芯片。

根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括吸收辐射的层，所述吸收辐射的层被设立用于这样吸收射到器件上的环境光，使得器件的背离载体的外面至少局部地显现为黑色。例如为此如诸如炭黑颗粒或其它吸收辐射的颗粒之类的吸收辐射的粒子或纤维被引入到吸收辐射的层中。例如，器件的背离载体的外面至少局部地通过吸收辐射的层本身构成。

根据至少一个实施方式，吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触。在“横向方向”上在此情况下意味着平行于载体的主延伸方向的方向。例如，在对半导体器件的外面的俯视图中，外面直至辐射出射面为止显现为黑色。

根据至少一个实施方式，辐射出射面无吸收辐射的层。“无(Frei)”也就是说，辐射出射面既不被吸收辐射的面覆盖，吸收辐射的层例如也不沿着发射辐射的半导体部件的辐射出射路径布置在半导体部件之后。至多可能的是，由制造决定地仍有吸收辐射的层的材料剩余部分位于辐射出射面上，但是所述材料剩余部分覆盖辐射出射面至多10％，优选地至多5％。

根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括载体，所述载体具有上侧和与上侧相对的下侧。在上侧处布置至少一个发射辐射的半导体部件，其具有辐射出射面，其中在该半导体部件运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件。另外，光电子半导体器件还包括吸收辐射的层，所述吸收辐射的层被设立用于这样吸收射到器件上的环境光，使得器件的背离载体的外面至少局部地显现为黑色。吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触。另外，辐射出射面无吸收辐射的层。

这里所述的光电子半导体器件的特征在于在辐射出射面和器件的外面的剩余部分之间的高视亮度对比度并且从而适用于例如在显示设备中使用。此外，可以避免例如在器件中所安装的光学系统的电磁辐射返回到器件的发射辐射的半导体部件的方向上的干扰性反向反射。

根据至少一个实施方式，半导体器件的外面至少局部地通过吸收辐射的层的外面构成。吸收辐射的层向外限制半导体器件并且尤其是不布置在外壳的腔中和尤其是本身构成外壳的一部分。在此，吸收辐射的层的侧面可以与载体的层面齐平地端接，其中吸收辐射的层也可以构成半导体器件的背离载体的表面。