[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域的鳍部表面形成第一伪栅结构并在所述第二区域的鳍部表面形成第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括伪栅氧化层和第二伪栅电极层；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅结构和第二伪栅结构齐平并露出所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层；

去除所述第一伪栅电极层，在所述介质层内形成第一开口，去除所述第二伪栅电极层，在所述介质层内形成第二开口；

在所述第二开口侧壁形成牺牲层；

形成所述牺牲层后，在所述第一开口和第二开口内填充抗反射膜；

去除所述第二开口内的抗反射膜，形成图形化的抗反射层；去除所述第二开口内的抗反射膜的步骤包括：去除所述第二开口内的抗反射膜，形成图形化的抗反射层，其中，所述第二开口内具有抗反射层残留物；

对所述第二开口进行清理处理，去除所述第二开口内的抗反射层残留物；

以所述抗反射层为掩膜，去除所述第二开口侧壁的牺牲层和第二开口底部的伪栅氧化层；

去除所述第二开口底部的伪栅氧化层后，去除所述第一开口内的抗反射层；

在所述栅氧化层表面、第一开口侧壁以及第二开口的底部和侧壁上形成栅介质层；

在所述第一开口和第二开口中填充金属层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为至

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺为原子层沉积工艺。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的工艺参数包括：向原子层沉积室内通入的前驱体为含硅的前驱体，工艺温度为100摄氏度至500摄氏度，压强为5毫托至20托，沉积次数为5次至40次。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述第二开口进行清理处理的工艺为灰化工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述灰化工艺的工艺步骤包括：通入反应气体，利用所述反应气体去除所述第二开口内的抗反射层残留物，所述反应气体为O₂、N₂和H₂的混合气体，所述混合气体的气体流量为500sccm至8000sccm，压强为1个标准大气压，温度为150℃至350℃，工艺时间为100秒至1000秒。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除所述第二开口侧壁的牺牲层和第二开口底部的伪栅氧化层的工艺为干法刻蚀工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为SiCoNi刻蚀工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蚀工艺的步骤包括：

以NF₃和NH₃作为反应气体以生成刻蚀气体；

通过所述刻蚀气体刻蚀所述牺牲层和伪栅氧化层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蚀工艺的工艺参数包括：NF₃的气体流量为20sccm至200sccm，NH₃的气体流量为20sccm至500sccm，腔室压强为1Torr至100Torr，工艺时间为10S至200S。