[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有栅极结构、第一介质层以及位于所述栅极结构两侧的侧墙，其中所述栅极结构和侧墙位于所述第一介质层内，且所述栅极结构和侧墙的顶表面与所述第一介质层的顶表面齐平，所述第一介质层具有与所述侧墙相邻的侧表面；

去除所述侧墙的一部分，使剩余侧墙的顶表面低于所述第一介质层的顶表面，从而暴露出所述第一介质层的侧表面的一部分；

分别从所述第一介质层的顶表面及暴露出的所述第一介质层的侧表面去除部分所述第一介质层，从而在所述第一介质层内形成凹陷的缺口；去除所述栅极结构的一部分，使剩余栅极结构的顶表面和剩余侧墙的顶表面低于剩余第一介质层的顶表面，从而在剩余第一介质层内形成第一开口；

形成填充满所述第一开口且与所述剩余第一介质层的顶表面齐平的覆盖层，所述覆盖层覆盖剩余栅极结构以及剩余侧墙的顶表面，且所述覆盖层的侧壁具有位于所述剩余第一介质层上的突出部。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除部分所述第一介质层的方法包括采用原子层刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述原子层刻蚀工艺的刻蚀气体包括C₄F₆或C₄F₈。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，从所述第一介质层的顶表面去除部分所述第一介质层的纵向尺寸范围是10埃至200埃。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，从暴露出的所述第一介质层的侧表面去除部分所述第一介质层的横向尺寸范围是3埃至50埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除部分所述第一介质层，在去除所述栅极结构的一部分的步骤之前或者之后。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述侧墙的一部分的厚度大于去除的所述栅极结构的一部分的厚度。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述侧墙的一部分的厚度小于或者等于去除的所述栅极结构的一部分的厚度。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述侧墙的一部分的厚度范围为100埃至1000埃。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除的所述栅极结构的一部分的厚度范围为100埃至1000埃。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述侧墙的一部分的工艺包括干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF₃I、O₂或H₂中的一种或者其任意组合。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构两侧的基底内形成有源/漏区，平坦化所述覆盖层之后，还包括在剩余第一介质层内形成与所述源/漏区电连接的接触结构。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述接触结构的方法包括：

在所述剩余第一介质层和覆盖层表面形成第二介质层；

在所述第二介质层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出需要形成接触结构的区域；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二介质层和剩余第一介质层，在所述第二介质层和剩余第一介质层中形成第二开口，所述第二开口的底部暴露出所述源/漏区；

在所述第二开口中填充导电材料，平坦化所述导电材料，形成接触结构。